在理解了FET的工作原理后，我们就能构造出所有数字和处理电路中的核心基本逻辑电路。这些核心基本逻辑电路通常根据功能需求，由一个或多个输入来产生一个输出。下面的讨论仅限于最基本的逻辑功能电路（比如与，或，非），但是实际上FET可以用来组成各种复杂的逻辑电路。
在设计FET 电路来执行逻辑功能时，一定要遵守下面四个法则：
pFET的源极必须要连接到Vdd ，nFET的源极必须要连接到GND；
电路输出要始终通过pFET接Vdd，或是通过nFET接GND（即电路输出不能悬空）；
逻辑电路的输出不能同时既连接到Vdd和GND上（即电路输出不能使电源和地短路）；
电路必须尽量少的使用FET。
根据这些规则，就可以设计出两个输入信号的与门电路。首先，来看右边的电路，当两个输入信号A和B都为Vdd时，输出（标号为Y）连接到了GND。标号为Q1和Q2的nFET是以串联形式连接；一般来说，串联FET可以构成与门。再来看右边第二幅图，当A或B任一接Vdd，输出Y都会连接到GND。标号Q3和Q4两个nFET是以并联形式连接的；一般来说，并联一组FET可以构成或门。 
要牢记FET逻辑电路中的规则，与门结构是由下图所示的Q1、Q2构成。只使用了两个FET，当A和B都接Vdd时，Y输出GND电平。但我们也必须保证当A和B有任一不接Vdd时，Y要输出Vdd电平。换句话说，我们必须要保证只要A或B接GND，那么输出Y输出电平就为Vdd。这个概念也可以应用到所有pFET的或门结构上（下图的Q3,Q4）。右下角电路是与门再与上或门的逻辑电路。起旁边的真值表中给出了所有输入组合的输入输出电平。这些电路都严格遵守了前面所说的规则-pFET只能连接到Vdd，nFET只能连接到GND，输出要么是Vdd，要么是GND，不可能同时为Vdd和GND。还有，电路使用了最少的FET。
该与门当输入A和B都为Vdd时，其产生的输出为GND。为了能够使该电路满足与逻辑的真值表，我们必须要设定输入信号在Vdd电平时为逻辑1（输入信号在GND电平时为逻辑0）；同时我也设定输出信号在GND电平时为逻辑1。不过这样定义在逻辑上会有潜在的矛盾-假定1代表门输入信号的Vdd电平，而1又代表门输出信号的GND电平，1代表的电平矛盾。注意，如果我们对真值表的Y列输出值进行翻转（Vdd变为GND，GND变为Vdd），那么1就又可以代表输入信号的Vdd电平，也可以代表输出信号的GND电平。这样就成为与门的真值表了。因此，上面的电路就称为与非门（非就是翻转），简称NAND门。为了用NAND门构造一个与逻辑门，使之逻辑1即可以代表输入信号Vdd，也可以代表输出信号Vdd，那么就必须在NAND门后加一翻转电路（正如其名，翻转电路就是Vdd输出电平变为GND，或是GND变为Vdd）。
下图所示5个基本逻辑电路：NAND,NOR(或非)，AND,OR以及INV（翻转）。读者可以自行验证真值表是否正确的描述了电路逻辑。这些基本的逻辑电路就构成了所谓的逻辑门电路。
这每一个逻辑门中，都使用了最少数量的FET来产生要求的逻辑功能。每一个逻辑门都有一个nFET“在下面”，还有一个pFET“在上面”作为逻辑功能补充；这就是说，如果有nFET作为或逻辑门，那么一定也有一个pFET作为与逻辑门。这类具有对称且互补的nFET和pFET特性的逻辑电路就称为对称互补型金属-氧化半导体，简称CMOS电路。目前，在数字处理电路中，CMOS电路是占绝对主导地位的（顺带提一句，金属-氧化半导体指带老的技术，老技术栅极材料是由金属和栅极下的氧化硅绝缘体组成的）。正是这些基本的逻辑电路组成了所有的数字处理电路。
在原理图中画这些基本逻辑电路的时候，我们一般用下面所示的通用符号来代替FET电路框图（这样就能轻松的取代那单调复杂的FET电路了）。输入端为直角，而输出端为平缓曲线的符号是与门；输入端是曲边，输出端是曲边并有尖头的是或门。在输入端有一小圆圈的表示输入信号必须是LLV时才能产生要求的逻辑功能输出，没有小圆圈的表示输入信号必须是LHV时才能产生要求的逻辑功能输出。如果在输出端有一个小圆圈，几表示逻辑功能输出信号为LLV是有效信号，没有小圆圈的就表示输出信号为LHV时是有效逻辑功能输出信号。
观察上面的符号，我们可以发现每个符号有两种表示法。最上面一层的为原符号，下面的为其变化式（变化式与上面是对应的）。与门和或门的变化式符号与原式符号是相互交换的，其输入输出电平也是相反的。读者应该自行查证每种符号都是确实对应其CMOS电路的。比如，在NAND电路中的与门符号，其输入输出都为LVH时，输出为LLV。NOR电路中的或门符号，其输入输出中任一个为LLV时，输出都为LHV。两种表示法都对，也就意味着任何逻辑门都可以用变化式符号来表示。（为什么要用变化式符号呢？在某些情况下，画原理图的时候选择合适的符号画的会更容易，这个将在后面讨论）。
