第1节 概述
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更新于2008-05-15 09:47:27

异质结FET——普通HJFET,HFET
  • 耗尽型和增强型FET 逻辑
    互补FET 逻辑 (还未出现,或将要很快出现)
    为什么至今只用GaAs
  • MESFET 加工的回顾
    器件的关键部分;工艺难题
    加工顺序的系统回顾
    使用异质结构的机会
  • 在FET 中使用异质结构的一般原则
    一般目标
    特殊应用
    改进基底的隔离
    改进栅极特性
    改进沟道电导
  • HFET——掺杂沟道HJFET
    基本结构
    使用假晶层(pseudomorphic layers)改进器件
    应变沟道
    应变栅极

 

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