化学气相沉积(CVD)
过程: SiO2 – 将Si暴露在蒸汽中=> 生长均匀的绝缘层… 或金属薄膜层：高真空, 单元素… …
CVD: 有毒, 腐蚀性气体流过真空阀, T升至1000°C, 发生很多联合反应, 气体动力学, 阻塞层… 是谁的思想?
<<上一节 下一节>>
