第1节 金属-半导体结

推荐给好友

打印

加入收藏

更新于2008-05-15 09:06:39

空间电荷区 高阻区 载流子 倍增 雪崩击穿 TE 金属 半导体结

内容：
1. 在空间电荷区和高阻区的传输
2. 载流子倍增和雪崩击穿
3. 在TE时理想的金属半导体结

阅读作业
del Alamo Ch. 5，§§5.8-5.10；Ch. 6，§6.1

点击下载课件

<<上一节    下一节>>