第1节 多端口SRAM
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更新于2008-05-17 22:33:27

多端口SRAM

增加访问晶体管的数量,就可以增加静态随机存储器的端口数。需要关注的是一对反相器的大小,使之一个强一个弱。这样,我们就能够保证我们的写总线只与较弱的一个打交道,而读总线则由较强的那个来驱动,从而使访问和写操作的次数达到最小化。为每个单元增加一个新的读端口或者写端口的成本是多少?

单管动态随机存储器

六个晶体管/单元看起来并不多,但是将它们很快累加起来就多了。存储个比特所用的最少晶体管数是多少?

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