Vishay新型功率MOSFET尺寸为TSOP-6的一半，导通电阻减至11mΩ

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更新于2008-06-12 09:43:46

Vishay公司近日宣布推出15款新型功率MOSFET，采用PowerPAK SC-70封装，外型尺寸为2 mm×2 mm，0.8mm窄板。

新型MOSFET包括针对各种应用的多种结构和额定电压，有单的、单加肖特级、双器件，采用N沟道和P沟道，此外还有N沟道与P沟道互补对。器件的特征是电压范围在8 V ～30 V之间，4.5 V时导通电阻值极低，可降至0.011Ω。

随着便携式设备体积变得越来越小以及功能的增加，其可用的电路板空间变得更有限。这样，设计师被迫寻找更小体积的方案，同时要保持低功耗，使电池运行时间尽可能长。

为满足这种需要，PowerPAK SC-70结合了SC-70封装的小外形，导通电阻与更大的TSOP-6的相当。结果得到的方案具有非常低的功耗，封装尺寸比TSOP-6小50 %，厚度薄27 % 。此外，除通过节能来帮助改善环境之外，PowerPAK SC-70为百分之百无铅、无卤素，适应RoHS，满足有害物排放的国际法要求。

Vishay Siliconix PowerPAK SC-70 MOSFET的典型应用将包括便携式设备（如手机、PDA、数码相机、MP3播放器以及笔记本电脑、便携式HDD以及微型电机驱动器）的负载切换和电池充电。

近日推出的器件包括SiA413DJ，是业界首款以这种尺寸封装的12V单一P沟道器件。SiA913DJ和SiA912DJ分别是业界首款12V双P和N沟道MOSFET，而SiA511DJ是业界首款12V N沟道和P沟道互补对。

这些器件中的几种创造了SC-70封装外型导通电阻的新记录。新型SiA421DJ在4.5 V时额定电阻为0.056Ω，是采用30V单一P沟道型中导通电阻最低的。SiA914DJ的额定电阻为0.053，为业界20V双P沟道MOSFET中导通电阻最低的。有两种新产品具有板上、低VF肖特级二极管的特征。SiA810DJ的额定值为0.053Ω，为20V单一N沟道加肖特级器件导通电阻最低的，而0.094Ω的SiA811DJ为20V单一P沟道加肖特级器件导通电阻最低的。

SiA413DJ和SIA411DJ MOSFET的特点是额定导通电阻低至1.5V VGS，通过减少电平移动电路来降低功耗，节省电路板空间。以前发布的采用PowerPAK SC-70的器件有SiA414DJ、SiA417DJ和SiA419DJ，额定导通电阻低至VGS = 1.2 V。0.011Ω的SiA414DJ和0.023Ω的 SiA417DJ也是此种封装类型的首款器件，额定击穿电压为8V。

这15种功率MOSFET目前都可提供样品和批量生产，对于大订单，交货时间为10～12周。每十万个的单价为0.15美元。

关于Vishay Intertechnology公司

Vishay Intertechnology公司是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1000 强企业”，是世界上最大的分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，可以访问Internet网站 www.vishay.com。