英国ARM宣布将向美国IBM的45nm SOI硅代工服务提供电路库
【日经BP社报道】英国ARM宣布，将向美国IBM的45nm SOI的硅代工服务提供电路库（英文发布资料）。
与面向Bulk CMOS工艺一样，将提供标准单元、Memory Generator和I/O单元。据称通过使用SOI底板，性能可提高30％，耗电量可降低40％。
ARM和IBM一直与法国SOI底板厂商Soitec保持着合作关系（参阅本站报道），此次的电路库可以说也是三公司合作的结果。
此次的电路库与Bulk CMOS用的库相同，可支持一般的逻辑合成工具和自动配置布线工具，可应用与原来相同的设计手法和流程。还提供美国新思科技（Synopsys）、美国益华电脑（Cadence Design Systems）和美国微捷码（Magma Design Automation）的EDA工具用图案。（记者：小岛 郁太郎）
与面向Bulk CMOS工艺一样，将提供标准单元、Memory Generator和I/O单元。据称通过使用SOI底板，性能可提高30％，耗电量可降低40％。
ARM和IBM一直与法国SOI底板厂商Soitec保持着合作关系（参阅本站报道），此次的电路库可以说也是三公司合作的结果。
此次的电路库与Bulk CMOS用的库相同，可支持一般的逻辑合成工具和自动配置布线工具，可应用与原来相同的设计手法和流程。还提供美国新思科技（Synopsys）、美国益华电脑（Cadence Design Systems）和美国微捷码（Magma Design Automation）的EDA工具用图案。（记者：小岛 郁太郎）
