MRAM如下:
串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V
C,M 8-DFNMR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFNMR25H40 4Mb
512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP
并口(*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V
C,M 44TSOP,48-BGAMR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M
44TSOP,48-BGAMR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V, I/O 1.8V Blank
48-BGAMR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGAMR4A08B
16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
并口(*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M
44TSOP,48-BGAMR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M
4TSOP,48-BGAMR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA