Exemple 1
本例展示了如何对STM32的FLASH写入数据。
在RESET以后，FLASH存储器的写/擦控制器（Flash memory Program/Erase
Controller）是被锁住的，为了能够写入数据，首先要求对控制器解锁（FLASH_Unlock()）。
在写入数据前，程序首先擦除所有要编辑的页面。擦除程序首先计算需要的页面数目，然后通过不断调用FLASH_ErasePage函数进行逐页擦除。之后，程序不断调用FLASH_ProgramWord函数对FLASH写入数据。待整个过程完成以后，检查FLASH中的数据是否已被正确写入，检查结果放在变量MemoryProgramStatus中。
Exemple 1
本例展示了如何开启/关闭STM32 FLASH存储器的写保护功能。
打开写保护功能：
在程序中，取消“#define
WriteProtection_Enable”前的注释符号，即可打开写保护功能。想要对一系列页面进行写保护的话，用户可以调用FLASH_EnableWriteProtection函数，通过设置该函数的参数，我们可以对任意页面进行写保护。在本例中，我们想要对24
— 31这八个页面进行保护，因此，参数为"FLASH_WRProt_Pages24to27 |
FLASH_WRProt_Pages28to31"。
为了对载入新的option byte 值，需要对系统进行复位，因此，我们调用函数
NVIC_GenerateSystemReset()。
关闭写保护功能：
在程序中，取消“##define
WriteProtection_Disable”前的注释符号，即可关闭写保护功能。为了关闭写保护，用户必须擦除小信息模块（small
information block）。此操作可以通过调用函数FLASH_EraseOptionBytes来实现。
同样的，为了对载入新的option byte 值，需要对系统进行复位，因此，我们调用函数
NVIC_GenerateSystemReset()。
在本例中，程序将对被保护页面进行一次擦-写的操作，并在最后检查操作的完成情况，并把检查结果放在变量MemoryProgramStatus中。显然，如果打开了写保护功能，那么结果将是FAILED，如果没有，结果将是PASSED。
Exemple 1
本例展示了如何通过设置GPIO BSRR寄存器（Port bit set/reset registe）和GPIO BRR寄存器
(Port bit reset register)来翻转IO的状态。
通过设置这两个寄存器，我们可以利用单比特操作（single atomic write access）来改变一个或者几个IO端口的状态。
这个例子原本应用于STM32评估板(STM3210B-EVAL)，为了使本例能在EKSTM32F上运行，我们应当把使用端口PC.06
– PC.09改为使用PC.04 – PC.07。
Exemple 2
本例展示了如何把JTAG专用管脚设置为标准的GPIO。
首先，关闭SWJ-DP，把SWJ-DP管脚设置为标准的push-pull输出。然后，循环地改变PA.13(JTMS/SWDAT),
PA.14(JTCK/SWCLK), PA.15(JTDI), PB.03(JTDO)
和PB.04(JTRST)这五个管脚的状态。使与之相连的LED闪耀。在EKSTM32F板上，不存在这样的五个LED，要观察效果的话，需要自己连上去。
注意，一旦JTAG管脚被用作它用，将无法再使用debug工具。为了避免这个问题，程序将检查PB.09上的数据，它与一个按钮相连，当输入为低电平时，JTAG专用管脚被设为标准的IO。当输入为高电平时，这些管脚仍然用作JTAG。
出处：barboon
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