FRAM存储器SPI总线数据手册总汇

型号	容量	封装	工作电压	待机电流	数据保存年限	工业温度	最大读写频率
FM25H20	2Mb(256KB)	8脚TDFN	2.7-3.6V	5μA	10年	-40~+85℃	40MHz
FM25L512	512Kb(64KB)	8脚TDFN	3.0-3.6V	20μA	10年	-40~+85℃	20MHz
FM25256B	256Kb(32KB)	8脚SOIC	4.0V-5.5V	-	10年	-40~+85℃	20MHz
FM25L256B	256Kb(32KB)	8脚SOIC & 8脚TDFN	2.7-3.6V	-	10年	-40~+85℃	20MHz
FM25CL64	64Kb(8KB)	8脚SOIC & 8脚TDFN	2.7-3.6V	1μA	45年	-40~+85℃	20MHz
FM25CL64-GA(汽车级)	64Kb(8KB)	8脚SOIC	3.0-3.6V	15μA	-	-40~+125℃	16MHz
FM25640	64Kb(8KB)	8脚SOIC	5V	10μA	45年	-40~+85℃	5MHz
FM25640-GA (汽车级)	64Kb(8KB)	8脚SOIC	5V	10μA	-	-40~+125℃	4MHz
FM25C160	16Kb(2KB)	8脚SOIC	5V	10μA	45年	-40~+85℃	15MHz
FM25C160-GA (汽车级)	16Kb(2KB)	8脚SOIC	5V	10μA	-	-40~+125℃	15MHz
FM25L16	16Kb(2KB)	8脚SOIC & 8脚TDFN	2.7-3.6V	1μA	45年	-40~+85℃	18MHz
FM25040A	4Kb(0.5KB)	8脚SOIC	5V	10μA	45年	-40~+85℃	20MHz
FM25040A-GA (汽车级)	4Kb(0.5KB)	8脚SOIC	5V	10μA	-	-40~+125℃	14MHz
FM25L04	4Kb(0.5KB)	8脚SOIC & 8脚TDFN	2.7V-3.6V	1μA	45年	-40~+85℃	14MHz
FM25L04-GA (汽车级)	4Kb(0.5KB)	8脚SOIC	3.0-3.6V	1μA	-	-40~+125℃	10MHz

FM25256B－256Kb FRAM串行存储器

描述
　　FM25256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以像RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。
　　与串行EEPROMs不同的是，FM25256B以总线速度进行写操作，无需延时。下一个总线周期可以立即开始，无需进行数据轮询。另外，器件真正提供了无限次的写入次数。而且， FRAM比EEPROM消耗的功率要低得多。
　　FM25256B的这些功能使得它非常适合用在需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用中。举例说明，在数据采集应用中，对写入数据的频率要求很高；在需要工业控制的应用中，太长时间的EEPROM写会导致数据丢失，FM25256B将这两种特性结合在一起，可用在从数据采集到需要工业控制的各种应用中。
　　FM25256B为串行EEPROM的用户提供了便利，它在硬件上可以完全替换EEPROM。FM25256B使用高速SPI总线，这加强了FRAM技术的高速写性能。工业操作温度范围为－40℃到＋85℃。

特性
256K位的铁电非易失性RAM
　　　－组织结构为32,768×8位
　　　－实际上读写次数为无限次（1014次）
　　　－10年的数据保存时间
　　　－先进的高可靠性铁电处理技术
极快串行外围接口－SPI
　　　－频率高达20MHz
　　　－硬件上可以直接替换EEPROM
　　　－SPI模式0&3（CPOL，CPHA＝0，0&1，1）
写保护机制
　　　－硬件保护
　　　－软件保护
宽电压工作范围
　　　－宽电压工作范围为4.0V～5.5V
工业标准配置
　　　－工业温度为-40℃～＋85℃
　　　－8脚环保/RoHS SOIC（-G）

 

概述
　　FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。
　　与EEPROMs不同的是，FM25L256B以总线速度进行写操作，无须延时。器件在每个字节传输到器件之后被写入存储器阵列，下一个总线周期可以立即开始，无需进行数据轮询。另外，器件真正提供了无限次的写入次数，而且，FRAM比EEPROM消耗的功率要低得多。
　　FM25L256B的这些功能使得它非常适合用在需要频繁、快速写操作或者低功率操作的非易失性存储器应用中。举例说明，在数据采集应用中，对写入数据的频率要求很高；在需要工业控制的应用中，太长时间的EEPROM写会导致数据丢失，FM25L256B将这两种特性结合在一起，可用在从数据采集到需要工业控制的各种应用中。
　　FM25L256B为串行EEPROM的用户提供了便利，它在硬件上可以直接替换EEPROM。FM25L256B使用高速SPI总线，这加强了FRAM技术的高速写性能。工业操作温度范围为－40℃到＋85℃。

特性
256K位的铁电非易失性RAM
　　　－组织结构为32,768×8位
　　　－读写次数为无限次
　　　－10年的数据保持时间
　　　－NoDelayTM写操作
　　　－先进的高可靠性铁电处理技术
极快串行外围接口－SPI
　　　－频率高达20MHz
　　　－硬件上可以直接替换EEPROM
　　　－SPI模式0&3（CPOL，CPHA＝0，0&1，1）
写保护机制
　　　－硬件保护
　　　－软件保护
低功耗
　　　－低电压操作2.7V～3.6V
工业标准配置
　　　－工业温度为－40℃～＋85℃
　　　－8脚SOIC和8脚TDFN封装
　　　－环保/RoHS封装
 

概述
　　FM25CL64是采用先进的铁电技术制造的64K位非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以像RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存45年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。
　　与串行EEPROMs不同的是，FM25CL64以总线速度进行写操作，无须延时，下一个总线周期无需进行数据轮询就可以立即开始。另外，器件真正提供了无限次的写入次数，其耐用性比EEPROM高出的程度可以用数量级来计量。而且，写操作不需要在内部提升写电路的电源供电电压，所以，在写操作过程中，FRAM比EEPROM消耗的功率要低得多。
　　FM25CL64的这些功能使得它非常适合用在需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用中。举例说明，在数据采集应用中，对写入数据的频率要求很高；在需要工业控制的应用中，太长时间的EEPROM写会导致数据丢失，FM25CL64将这两种特性结合在一起，可用在从数据采集到需要工业控制的各种应用中。
　　FM25CL64为串行EEPROM的用户提供了便利，它在硬件上可以直接替换EEPROM。FM25CL64使用高速SPI总线，这加强了FRAM技术的高速写性能。工业操作温度范围为－40℃到＋85℃。

特性
64K位的铁电非易失性RAM
　　　－组织结构为8,192×8位
　　　－读写次数为无限次
　　　－45年的数据保存时间
　　　－NoDelayTM写操作
　　　－先进的高可靠性铁电处理技术
极快串行外围接口-SPI
　　　－频率高达20MHz
　　　－硬件上可以直接替换EEPROM
　　　－SPI模式0&3（CPOL，CPHA＝0，0&1，1）
完善的写保护机制
　　　－硬件保护
　　　－软件保护
低功耗
　　　－低电压工作范围为2.7V～3.65V
　　　－待机电流为1uA
工业标准配置
　　　－工业温度范围为-40℃～＋85℃
　　　－8脚SOIC和8脚TDFN封装
　　　－“环保”封装选项

 

 

FM25CL640选型资料详见附件FM25640.pdf

FM25CL160选型资料详见附件FM25C160-GA.pdf    FM25C160.pdf

FM25C040选型指南FM25040A-GA.pdf  FM25040A.pdf

FM25L04选型指南FM25L04.pdf

FM25L04汽车级资料FM25L04-GA.pdf