感谢DennyT老大,我就是在loadboard上焊了DDR2的DRAM, 1Ghz的。
layout时DDR的走线注意的东西应该没有问题。
测试仪用sapphire ,普通pin到200MHZ,有张高速的卡能有16根pin达到1.6Ghz。
1, 测试时CK的差分,DQS的差分,ODT,CKE都连高速的channel,还有哪些pin也需要连高速的channel吗?够吗?
2, power up的sequence会我自己定义,然后进入initialization的command
DFT这边会写到pattern里。现在的问题是应该生成怎么样的pattern去测试它?因为想搞出worst case的
condition.
3, burst length=4 or 8,那我最多就是同时对一个地址之后的8个bit
的cell进行W/R操作吗?能有更大的更快的操作方法吗。
[最后修改于2009-01-15 11:04]