常用存储器类型及特性总结
2009-04-20 13:32
存储器是硬件电路中常见的器件，按掉电后数据是否会丢失来区分，存储器可分为易失性和非易失性两种。
非易失性存储器：ROM（Read-Only Memory只读存储器）：生产时就已经将数据写入存储器，用户无法对其进行更改PROM（Programmable ROM可编程只读存储器）：通常是基于熔丝或反熔丝结构，用户可以对其进行一次编程，一旦编程便无法再更改EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory可擦除可编程只读存储器）：用户可对其进行多次编程，擦除时将其暴露在紫外线下，数据便可清空。通常这种存储器封装外壳上都有一个石英窗口以方便紫外线通过。EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电可擦除可编程只读存储器）：不需要紫外线，只用电就可以对其数据进行擦除FLASH：其实FLASH是属于EEPROM的，也是一种非易失性的可擦除存储器。和通常意义上的EEPROM相比，FLASH具有速度快，容量大，成本低等优势，因而得到了大量的应用，像我们常见的优盘、存储卡等都是基于FLASH结构的。与EEPROM不同，FLASH是按块而非字节进行操作的。由于其结构方面的原因，对FLASH的数据进行改写时必须先对其进行擦除之后才能写入新的数据（对FLASH进行写入时无法将原来是'0'的单元改写为'1'，故需先进行擦除操作，擦除的实质是将块内所有的单元都置位为'1'，写入时再将相应的单元置位为'0'），因此FLASH的写入速度要远低于读取速度，且操作较复杂。另外，FLASH是有寿命限制的，擦写次数通常为十万次。FRAM（铁电存储器）：铁电存储器是一种较新的非易失性存储器，和EEPROM以及FLASH相比，它具有读写速度快、无擦写次数限制和功耗低等特点。目前虽已有成熟的FRAM产品面市，但毕竟刚刚起步，通常的应用中还很少用到。NVSRAM（Non-volatile SRAM非易失性SRAM）：NVSRAM也是一种新型的非易失性存储器，它的实质是将SRAM和EEPROM结合在了一起，并需要在其外部接一个电容。当掉电时，通过外接电容的放电提供电源，SRAM里的数据可以被拷贝到EEPROM里，实现了存储器的非易失性。相比于FRAM，NVSRAM可以工作在更高的频率下，并且接口简单（SRAM接口）。
易失性存储器：SRAM（Static Random-access memory静态随机访问存储器）：当数据写入SRAM后，只要不掉电，数据就不会丢失。SRAM读写速度快，接口简单，但一般容量做不大，而且价格较高DRAM（Dynamic Random-access memory动态随机访问存储器）：当数据写入DRAM后，在不掉电的同时，还需要一个刷新电路周期性的对DRAM进行数据刷新，才能保证数据不会丢失。DRAM虽然读写速度不及SRAM，接口控制也较为复杂，但容量却可以做得很大，而且价格低廉，故应用的非常广泛。PC机上的DDR，DDR2内存都属于DRAM。SSRAM和SDRAM：同步SRAM和同步DRAM，硬件系统中常用的存储器，需要给其加一个时钟信号，接口时序较复杂。
最近在做一个SSRAM的控制器，想把DE2-70开发板上的SSRAM加到avalon总线上，现在已经能够进行数据的读写了，但还不能用来做NiosII的程序存储器。等我抽空研究好了后，再把具体的实现方法发上来^_^
上一篇:关于FPGA你所应该知道的 | 下一篇:在这安个家
;){kind=link}