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市场调研机构 IC Insights 表示，2017 年 DRAM 和 NAND 型闪存销售额都将创出历史新高，而 DRAM 和 NAND 闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计，2017 年 DRAM 出货量同比下降，而 NAND 闪存也仅增长 2%，闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用，但并非主要原因。
存储器价格上涨始于 2016 年第二季度，到 2017 年上半年为止，每季度价格都持续向上走。如图所示，从 2016 年第三季度，到 2017 年第二季度，DRAM 价格季度平均增长率为 16.8%，NAND 闪存价格季度平均增长率为 11.6%。
从 2016 年第三季度 DRAM 平均售价疯涨开始，DRAM 制造商又开始步入加码投资周期，不过这一轮 DRAM 厂商投资大部分都花在了升级技术方面，并没有盲目扩充产能。
IC Insights 判断，2017 年闪存厂商绝大部分资本支出都投入在 3D NAND 工艺技术上。为提升其位于韩国平泽市巨型新工厂的产能，2017 年三星在 NAND 闪存上的资本支出将同比大幅上升。
从历史数据来看，价格上涨周期带来的投资扩产冲动，通常会造成产能过剩，产能过剩程度越高，将来价格下跌也会越猛烈。三星、SK 海力士、美光、英特尔、东芝 / 闪迪、武汉新芯 / 长江存储，以及可能出现的中国资本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的 3D NAND 生产计划，未来几年 3D NAND 闪存产能出现过剩的概率非常高。
IC Insights 收集的数据显示，DRAM 的平均售价增长率峰值出现在 2016 年第四季度，但直到 2017 年第二季度，涨势都很强劲。该机构预测，2017 年第三季度 DRAM 价格还能维持些许涨势，但第四季度将出现微跌，标志这轮涨价周期即将终结。
虽然 2017 年下半年 DRAM 涨势趋缓，但 IC Insights 预计全年涨幅仍将达 63%，这是自该机构从 1993 年开始追踪 DRAM 市场数据以来的最高涨幅，此前记录是 1997 年的 57%。
NAND 闪存 2017 年价格涨幅也将创纪录地达到 33%。不过，在 2000 年，NOR 型闪存还主导市场时，其平均售价一年涨幅达到了 52%。
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