27
预计三星今年的资本支出将达到 260 亿美元，超过英特尔和台积电的总和。
IC Insights 已经修改了半导体行业的资本支出预估，本月底将会发布新的报告。IC Insights 最新的预测显示，今年半导体行业资本支出增长 35％，达到 908 亿美元。
去年，三星在半导体行业的资本支出为 113 亿美元，预计 2017 年该业务支出将翻一番达到 260 亿美元。IC Insights 总裁 Bill McClean 表示：“在我关注半导体行业的 37 年里，从没见过今年如此猛烈的半导体资本支出增长势头。今年三星在半导体行业的巨额开支是史无前例的。”
图 1 显示了自 2010 年以来三星半导体业务的资本投入情况，这一年也是该公司第一次在半导体资本支出上超过 100 亿美元。在 2016 年投入 113 亿美元之后，预计今年的资本支出激增比例让人惊讶。
三星的开支计划到底有多么凶猛？IC Insights 预计，三星 2017 年第四季度的半导体资本支出为 86 亿美元，将占到整个半导体行业的 33%（整个行业第四季度支出预计达到 262 亿美元）。同时，三星在第四季度的半导体销售额占整个行业的 16%左右。
IC Insight 预估的三星今年 260 亿美元半导体资本支出分为以下几个部分：
3D NAND flash：140 亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长）
DRAM：70 亿美元（为了弥补因迁移而造成的产能损失）
代工 / 其他：50 亿美元（用于提升 10 纳米制程能力）
图 1
IC Insights 认为，今年三星的巨额支出将对未来产生很大影响，3D NAND 闪存市场可能会出现产能过剩情况，这种产能过剩一方面是因为三星在 3D NAND 闪存市场的巨额投资，另一方面如 SK 海力士、美光、东芝、英特尔等公司对这一细分市场的投资激增导致。从某种程度上来说，三星的竞争对手必须提高产能否则将失去部分市场份额。
三星的投资热预计也成为中国 3D NAND 闪存或 DRAM 相关企业的噩梦，此前 IC Insights 一直对中国初创企业对抗诸如三星、SK 海力士、美光的 3D NAND 和 DRAM 技术持怀疑态度。如今三星在资本支出上的疯狂成了自己市场地位的保证，如果中国企业不能和现有的大型存储进行合作，那么未来很难有更强的竞争力。
更多内容，欢迎访问《与非网三星专栏》。
与非网编译内容，未经许可，不得转载！
