“三星泡沫”后还有“中国效应”，全球半导体支出有望破千亿美元

市场调研机构 IC Insights 大幅提升 2018 年全球半导体资本支出预期。在 2018 年 3 月，该机构对 2018 年全球半导体资本支出的预期是增长 8%，但根据收集到的最新数据，IC Insights 将全行业资本支出预期提升了 6 个百分点至 14%，如果预测成真，2018 年全球半导体资本支出将首次超过 1000 亿美元，仅两年时间，资本支出比 2016 年同比增幅达到 53%。

 

虽然仍未披露其 2018 年全年资本支出预算，但三星的确说过，相比 2017 年，2018 年在半导体上的资本支出要收缩。2017 年三星在半导体领域豪掷 242 亿美元，为其过去三年平均资本支出的两倍以上，也是史上单一公司资本支出最高记录，适当收缩实属正常。但从实际表现来看，三星丝毫没有显示出收缩的迹象，仍然摆出“脚踩油门”要大干一场的架势，2018 年第一季度三星半导体部门资本支出达到 67.2 亿美元，略高于过去三个季度资本支出的平均值，几乎是 2016 年一季度资本支出的两倍。从 2017 年第二季度到 2018 年第一季度，四个季度三星半导体资本支出合计达到 266 亿美元！

 

 

IC Insights 预计，2018 年三星半导体部门资本支出额在 200 亿美元左右，比 2017 年减少 42 亿美元，但从一季度数据来看，该机构认为三星半导体全年资本支出很有可能超过 200 亿美元。

 

由于存储器市场（DRAM+NAND 闪存）依然非常强势，所以 SK 海力士 2018 年资本支出预算有望提升至 115 亿美元，比 2017 年支出（81 亿美元）同比增长 42%。SK 海力士资本支出主要用于两处，一是韩国青州工厂 M15（3D NAND）投产，另一个是无锡 DRAM 工厂扩产。为了赶在景气周期赚钱，SK 海力士不断加快工期，青州工厂预计将提前至 2018 年底投产，而无锡工厂新增产线投产时间也从预定的 2019 年初，提前到 2018 年底。

 

TechSugar 注意到，在 2017 年之前，全球半导体资本支出高峰出现在 2011 年，当年资本支出为 674 亿美元。2017 年资本支出达到 900 亿美元，同比增长 34%，其中三星（242 亿美元）贡献最多，扣除三星全行业增长为 18%，因此 IC Insights 称之为“三星泡沫”。IC Insights 将 2018 年资本支出增长的原因归结为“中国效应”，近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备，算是一个注脚。不过不少行业人士也表示，2018 年入场的设备，多数都被计入到 2017 年营收。这一轮扩产周期制造厂商相对比较激进，未来市场能否消化释放出的产能尚待观察，从设备业角度来看，多对当前行情持谨慎乐观态度，有厂商预测 2019 年资本支出应该会有较大收缩。