台联电(UMC)昨天宣布已制造出了晶圆界首颗全功能28nm SRAM芯片。该芯片基于UMC自主开发的低泄漏(LL)工艺技术，制造中采用了先进的两次图形曝光浸没式光刻和应变硅技术。这种SRAM包含了6个晶体管，尺寸仅0.122平方微米。
据UMC表示，它的28nm工艺比40nm技术密度提高了差不多一倍。
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