台积电40纳米工艺遭遇障碍
2009-05-05 20:58
在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。
台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1％的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2％左右。
台积电CEO蔡力行在回答分析师的提问时说：“良品率是有些问题。对制造商而言40nm是一项非常困难的技术。(不过)我们已经找到了问题的根源，并且已经或正在解决。”
结合此前消息，台积电40nm工艺可能无法很好地控制漏电率，难以制造高性能GPU芯片，不过蔡力行并未详加说明，只是声称台积电已经完成了基于28nm工艺的可用SRAM单元，预计2010年第一季度开始启用这种新工艺，届时会带来高K介质和金属栅极技术。
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=217201043
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