东芝开始全球首批64层3D NAND闪存的样品出货

2016-09-01 12:57:59 来源:EEFOCUS
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新一代东芝BiCS FLASH增加了层数,扩大了容量
东京-东芝公司(东京:6502)今天宣布最新一代BiCS FLASH三维(3D)闪存存储器,采用了堆栈式单元结构[1]。该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款[2]样品出货的产品。新型存储器采用3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术,实现了256Gbit(32GB)的容量。这种进步印证了东芝专有架构的潜力。东芝将不断精进BiCS FLASH制造工艺,其发展蓝图中的下一个里程碑将是同样采用64层堆栈的512Gbit(64GB)容量存储器。

 

 

这款新型存储器沿袭48层BiCS FLASH,并采用领先的64层堆叠工艺,使每个单元芯片的容量比48层堆叠工艺增加40%,在降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性。64层BiCS FLASHTM满足严格的性能规范,将用于包括企业级SSD和消费级SSD、智能手机、台式电脑和存储卡等存储相关应用。


东芝自2007年6月发布世界首款3D[3] NAND闪存存储技术原型以来,一直致力于积极推进BiCS FLASH发展,以满足市场对于更小尺寸且更大容量的存储需求。


东芝已于本月初在日本四日市的Fab2新厂生产该新型64层BiCS FLASH,并计划于2017年上半年开始量产。


注:
[1] 栈式结构闪存存储器单元垂直于硅基板,大大提高了密度,并超过二维NAND闪存存储器,单元在硅基板上形式。
[2] 截至至2016年7月,东芝调查
[3] 东芝提出,2017年6月12日
*BiCS FLASH是东芝公司的商标。
 

 
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