Kilopass凭借其革命性的VLT技术改变DRAM产业格局

2016-10-11 18:05:00 来源:EEFOCUS
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显著降低成本且与DDR SDRAM完全兼容;使用标准CMOS工艺制造且无需昂贵的电容结构

半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术,进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证,目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术,并正与DRAM制造商进行许可协商。

 

“Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名,我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新,”Kilopass首席执行官Charlie Cheng说道。“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术,运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品,这些产品在功耗和成本上将具有显著优势,同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

 

VLT概览

晶闸管是一种结构复杂的电子器件,在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成,这种结构非常适合存储器;与当前基于电容的DRAM相比,晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明,之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场,但都未能成功。

 

Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构,从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件,构造出制造工艺简单的交叉点内存,这将带来一项与DDR标准兼容,并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。

 

此外,因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期,基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍,可降低到50fA/bit以下,且仍将性能提高15%。最为关键的是,VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战,即沟电容的制造,从而规避了相关的专利冲突,这一点具有很重要的战略意义。

 

VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成,测试结果与器件仿真系统TCAD具有优异的关联性。一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片,早期芯片测试正在进行当中。

 

行业展望

巨大的全球DDR(SDRAM)存储器市场在总产值为3500亿美元的全球半导体市场中占据了超过500亿美元的份额,使其成为政府为促进国内半导体产业发展而推出的推动措施中,最重要的产品类别之一。就中国而言,国务院于2014年6月颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》,要实现其中集成电路行业产值从2015年3500亿人民币以年均20%的增速达到2020年约8700亿人民币这一目标,DRAM产业的增长显得至关重要。

 

然而,DRAM市场已经十分成熟,且由三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)三家企业共同占有超过90%的市场份额。现有DRAM的最关键技术是电容存储单元,它不仅带来了特有的制造挑战,还被大量专利所保护。为了进入DRAM市场,后发的中国厂商必须利用创新的替代方案,以推动竞争升级,争取实现差异化。VLT技术则代表了这样的一种可能性。

 
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