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- 除了 DRAM 和 NAND 之外，美光科技还制造 NOR 闪存，并拥有 20％的市场份额。
- 美光科技在 NAND 的短缺和 DRAM 价格的上涨中受益匪浅。
- 有人预测，2017 年可能会出现 NOR 的短缺，美光凭借先进的 NOR 技术，应该会进一步提升市场份额。
美光科技制造包括 DRAM、NAND 和 NOR 闪存在内的广泛的高性能存储器。表 1 显示了该公司 2012 财年至 2016 财年这三种类型内存的收入。
DRAM
根据该公司的 10-K 文件显示，美光的 DRAM 业务营收在过去两年连续出现下降，根据上表，2016 年下降了 30.1％，2015 年下降了 7.4％。
“2016 年和 2015 年的产量和成本下降受到了公司产品从 25nm 工艺到 20nm 转换的过程中设备被迫停机的限制，以及转向更高组合的 DDR4 产品（具有更大的管芯尺寸和晶片位数）的影响。
2016 财年，尽管 DRAM 产品 GBits 产量增长了 7%，但平均销售价格却下降了 35％。
随着 PC 市场的企稳，对 DRAM 的需求也在增加。我在最近的一篇文章中提到了这一点。
“随着 DRAM 价格的上涨，美光的股价也开始同步上升 - 股价从 5 月 13 日的 9.56 美元低点上升至 11 月 16 日的 19.18 美元（100％的涨幅） 。DDR3 4GB 512x8 的价格从 5 月的 1.47 美元低点涨到 11 月 16 日的 2.45 美元（67％的涨幅）。
NAND
NAND 的收入 2016 年下降了 12.0％，2015 年增长了 18.3％。而 GBits 产量 2016 年增长了 8％，2015 年增长了 45％。2016 年的 GBits 产量受到设备停机时间的限制，影响因素包括到 3D NAND Flash 技术的转换。
我在第二季度发表的文章中讨论了“NAND 闪存不久将出现短缺 - 什么导致了短缺以及会带来哪些影响”，预测短缺将发生在接下来的两个季度，即年底这段时间。
DRAMeXchange 在 5 个月后证实了我的观点 -“随着供应短缺，NAND Flash 价格将在第四季度出现上涨。”
NOR
得益于即将到来的短缺，美光科技将凭借在 NOR 闪存市场上的独特地位进一步提升 NOR 业务的营收。来自中国台湾的一家主要 NOR 闪存供应商 Micronix 的董事会主席兼首席执行官 Miin Wu 表示:
“目前，各种终端设备都存在对 NOR 闪存存储器的强劲需求。过去，对嵌入式存储器的结构化使用限制了 NOR 存储器的容量，但现在控制器功能的增强和向插入式存储器的转换都显着增加了对 NOR 存储器的需求。”
根据 IHS 数据，Macronix 在 2015 年全球 NOR 闪存市场上的占有率为 21.4％，取代了美光的第二名位置。2015 年，全球 NOR 闪存市场营收同比下降了 15％，降至 19.77 亿美元。
随着 NAND 开始取代 NOR 型产品， NOR 闪存市场规模在 2006 年达到 80 亿美元的收入后，从 2007 年开始下滑。 NOR 的单元尺寸是 NAND 的两倍，后者具有更高效的架构，在每个给定的管芯尺寸上都能实现更高的密度。NOR 单元较长的写入和擦除时间使得它在 NAND 支持的高容量存储应用中找不到用武之地。另外，NOR 比 NAND 贵，限制了它在代码存储和低端嵌入式设备上的使用。
NOR 有两种类型 - 并行和串行，根据美光科技的官方网站，美光同时拥有这两种技术:
“串行 NOR 闪存具备在整个存储器阵列中高速连续读取的能力，加上可擦除块的尺寸较小，使得它很适合于存储程序代码和 / 或存储粒度数据的应用。串行 NOR 闪存的低引脚数和小封装使得它非常适合 PC、超薄笔记本、服务器、机顶盒（STB）、打印机、蓝光驱动器 / 播放器、调制解调器 / 路由器、可穿戴设备和硬盘驱动器（HDD）等应用。”
并行 NOR 闪存可提供快速的系统启动时间和高速、低延迟的 XIP 操作，使其成为需要“即时”性能的数码相机（DSC 和 DSLR）以及如网络路由器 / 交换机、家庭网关和 STB 等过程密集型应用的理想选择。
随着 NOR 闪存芯片价格的上涨导致供应短缺，美光在这些众多应用中的收入将会增加。
为了进一步获得收入和市场份额，美光推出了一种称为 XTRMFlash 内存的新型 NOR 闪存，它结合了串行 NOR 闪存和并行 NOR 闪存的优势，使系统设计人员不必在高性能和低引脚数之间进行两难的选择。除了最大的 NAND 闪存阵列之外，美光的 XTRMFlash 的性能优于所有其他闪存类型，而且大型 NAND 对于实时即时应用来说太慢了，如下图所示。
这里的关键词是“即时”，汽车、工业和消费者市场都存在这种需求，比如人机界面、图形用户界面（GUI）、仪表盘、信息娱乐系统和高级驾驶员辅助系统等应用。
根据美光的说法，
“它的持续读取能力为 400MB / 秒，使得整个 1Gb XTRMFlash 器件的读取时间仅为 0.3 秒。借助于 XTRMFlash 存储器的直接执行就绪（XIP）操作能力和低引脚数接口，可以节省宝贵的电路板空间，同时消除了代码映射的需求。“
美光在 NOR 领域的竞争对手之一赛普拉斯半导体与 Spansion 合并之后继承了其 NOR 技术和 HyperFlash，这种类型的存储器能实现高达 333 MBps 的带宽，比普通 Quad SPI Flash 快五倍以上 - 同时，其引脚数量为并行 NOR 闪存的三分之一。
赛普拉斯也正在发力存在“即时”需求的市场，它认识到:
“汽车仪表板将需要更高的内存密度和更快的性能。数据吞吐能力变得越来越重要，以便迅速加载在仪表盘或导航系统中能够发现的那种丰富的图形。”
赛普拉斯采用的方法与美光不同，而且更昂贵。它认识到 NOR 闪存无法满足高密度要求，而 NAND 闪存缺乏汽车仪表盘等应用所缺乏的随机访问读取能力 - 所以把两者结合起来，何乐而不为呢？
要点
由于全球笔记本电脑市场的需求强于预期，使得美光的股价受益于 DRAM 价格的上涨，另外，由于向 20nm 工艺的转移在短期内降低了产量，减少了供应，从而加剧了供应短缺。
同时，由于智能手机和 SSD 行业的需求增加，第四季度 NAND 闪存的供应短缺局面将会加剧。
由于 DRAM 和 NAND 的供应短缺，美光的股价从 5 月 13 日的 9.56 美元低点升至 11 月 25 日收盘时的 19.81 美元（100％的涨幅）。另外，由于预期 NOR 也将面临短缺，美光的股价将再次获得上涨动能。
NOR 的潜在短缺将迅速将 XTRMFlash 存储器推向台前，它是需要即时访问和快速响应时间的汽车和物联网应用的理想选择，与传统 NOR 相比，它能更快速地抢占市场份额。汽车和物联网应用是两个内存增长最快的市场。使用 XTRMFlash 存储器，系统设计人员不再需要在并行 NOR 的高性能和串行 NOR 的较低占用面积之间进行两难选择了。
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