英特尔要和紫光一起开发3D NAND芯片?美光怎么办

2018-01-13 10:41:45 来源:EEFOCUS
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美光科技和英特尔已经宣布将停止联合开发3D NAND的计划;

有报告显示,英特尔可能会和中国的清华紫光(该公司几年前曾经试图收购美光)共同开发3D NAND。

 

这段时间以来,美光一直不太顺利。我在大概两周前的一篇题为“存储器厂商的股票还要横盘多久”的文章中指出,2017年11月份摩根士丹利下调存储器类半导体公司的评级导致这些公司的股价大跳水,并自那以来一直处于横盘震荡中。我还注意到,一些不从事存储器业务的半导体公司虽然也被摩根士丹利降级,但它们的股价不仅没有受到影响,还继续攀升到历史新高。半导体设备类股票(客户是存储器制造商)也一落千丈,它们的股价目前处于或者低于2017年9月份时的水平。

 

Jim Cramer在他发表于2017年12月26日的文章“为什么应该立即避开这类科技公司的股票”中提出了存储器类半导体公司股价的问题。

 

继我的文章之后,Jim Cramer在2018年1月8日上传了一篇名为“Jim Cramer:投资加密货币和美光的都是投机者”的文章。

 

看多美光的投资者表示,美光股价的市盈率还不到五倍,Jim Cramer回怼称:

“对于我来说,它的市盈率不到五倍是看衰它的理由,而不是看涨它的理由。因为美光的股票之前也曾经卖得那么便宜过,理由无他,只不过是公司业绩对不住其股价估值而已。我和那些看衰它的投资者还有所不同,我属于认为美光动作太慢的阵营。我之所以不立即看衰美光,是因为它制造FLASH和DRAM两种芯片,这两种都是商用器件。FLASH的价格数月前达到顶峰,DRAM的价格也将在未来几个月因为供应的增加而触及这段时期的高点,届时,美光的股价就真的有些支撑不住了。”

 

前段时间,中国国家发展与改革委员会召集三星的代表举行了一次会议,在会上表达了对三星在DRAM和FLASH市场价格持续不断攀升中的作用的关切,尽管是直接针对三星,中国发改委的这次举动对美光也会产生负面影响。

 

DRAMeXchange将2018年第一季度移动DRAM的营收增长预测值从5%降至3%。DRAMeXchange的一名研究分析师Avril Wu表示:

“中国智能手机厂商请愿发改委调查三星在存储器涨价中的垄断行为,表示他们希望三星和其它DRAM供应商在开始下一轮涨价前会先谨慎地三思一下后果。”

 

我们现在已经知道,美光科技和英特尔的合作关系马上就要终结了。英特尔在官方新闻稿中表示:

“两家公司已经同意在今年年底,最迟延续到2019年年初完成第三代3D NAND技术的开发后,将针对各自公司的业务需求,独立开发3D NAND技术,以便更好地对技术和产品进行优化。”


2005年,英特尔和美光成立了一家合资公司IMFT,旨在共同制造NAND闪存,第一款产品就是72nm的平面NAND。

 

根据AnandTech的一篇文章透露:

“英特尔和美光的分道扬镳并非没有历史轨迹可循。早在2012年,英特尔就将其部分IMFT的晶圆厂股份卖给了美光,只保留了最初在犹他州建设的Lehi晶圆厂。自那时起,英特尔和美光的蜜月期就结束了,两家公司各自建立了更多自家的晶圆厂,但是研发工作仍然以犹他州的晶圆厂为中心展开。后来,英特尔不再投资最终的16nm平面NAND节点,将这一代产品的研发工作完全丢给了美光,当时它们正在合作开发第一代3D NAND。”

 

要点

自2017年第三季度末开始,美光科技的股票一直在横盘震荡中(正如我在自己的文章中所指出的那样),最近几天,由于英特尔发布即将终止和美光科技的合作,其股价更是遭受重创。

 

还有一个更加雪上加霜的消息。DigiTimes的一篇文章透露:

“为了加强在中国NAND闪存市场的地位,英特尔计划提升其在大连的12英寸晶圆厂的产能,不仅如此,据业内人士透露,它还可能将其技术授权给清华紫光,以便在一年之内终止和美光在NAND领域的合作关系之后,迅速在中国生产3D NAND闪存芯片。”

 

如果真的发生这种情况,这将改变整个NAND市场的生态,对美光科技而言自然是不利的。我在2016年11月18日发表的一篇名为“清华紫光和美光科技:如果一开始就没有成功”的文章中提出了三个观点:

1、据报道,在收购美光科技失败后,中国的清华紫光提出了若干合作交易形式。
2、随着中国政府采取积极的举动提高其半导体制造能力,在未来的几年内,中国本土将有三家新的DRAM和NAND公司投入运营。
3、这些中国存储器公司的进入可能会改变整个存储器行业的生态平衡。

 

2016年7月26日,清华紫光收购了总部位于北京的存储器片制造商武汉新芯半导体制造公司(XMC)的多数股权,随后,紫光成立了一家名为长江存储科技有限公司(YRST)的公司,收购美光科技的失败可能是迫使清华紫光着手兼并中国本土公司的主要原因。

 

成立之后,长江存储宣布计划建设300mm晶圆厂,分三期建设,总耗资达240亿美元。一期工程已经于2016年年底完成,二期工程预计将于2018年完成,三期工程预计将于2019年完成。根据规划,最早在2017年年底达到每月约30万片晶圆的产能。长江存储将使用Spansion的技术生产32层3D NAND芯片。

 

美光继续高傲地拒绝了清华紫光提出的合作协议,但是英特尔显然认为,和紫光合作要比继续与美光合作更加有利。更重要的是技术转让带来的深远影响。这几年,美光科技一直在起诉中国存储器件制造商,以保护自家的知识产权。介于英特尔拥有和美光类似的知识产权,将技术转让给中国公司将帮助它们快速提升技术水平。

 

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