联电公司昨天宣布，已经成功产出业界首颗全功能28nm制程SRAM芯片。在半导体业界，SRAM往往是试验新制程工艺的首款产品。而28nm SRAM的试制成功也代表联电基本拥有了28nm工艺的制造能力。
联电的28nm SRAM基于该公司自行研发的LL低漏电制程工艺，采用双重图形曝光（double patterning）浸润式微影和应变硅技术来制造。包含6个晶体管的SRAM尺寸为0.122平方微米。
联电在应用28nm制程工艺时，会针对不同市场需求使用两种不同的栅极技术。当制造诸如手机芯片等移动设备产品时，他们将采用自家低漏电制程，搭载 传统的硅栅极、氮氧化硅栅极氧化层技术，而当代工注重速度的产品注入GPU、应用处理器时，则会采用High-K金属栅极技术。
联电表示，使用公司现有的300mm晶圆工厂，28nm制程可带来比40nm高近一倍的密度。同时他们还将在28nm平台上为客户提供定制32nm工艺服务。
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