台积电虽然在论文集中写的是32nm级工艺技术，但在实际演讲中，演讲题材及多半数据都被替换成了28nm级工艺内容。
该公司的28nm技术采用193nm的液浸光刻及First
HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT（按氧化膜换算的栅绝缘膜厚）为0.9nm，与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的
32nm级工艺技术的EOT值1.6nm相比，大幅削减了厚度。布线层采用10层铜布线。
晶体管的导通电流（截止电流）方面，nMOS为1360μA/μm（80nA/μm），pMOS为960μA/μm（40nA/μm）。与32nm级技术相比，截止电流的值提高到了2倍左右。
对于28nm级工艺技术，台积电表示，“此前通过更新现有工艺技术获得的20＋α％的性能提高，今后仍可继续维持”。
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