介绍 更多的晶体管，更复杂的设计，让ARM9TDMI和ARM9E-S内核在同样的硅片工艺下，性能超过ARM7TDMI或ARM7TDMI-S内核的两倍。性能提升是因为ARM9可以运行于更高的主频，而执行一些常用的指令也耗费更少的时钟周期1。 为叙述方便起见，本文将简单地用ARM7指代ARM7TDMI和ARM7TDMIS;用ARM9指代ARM9TDMI和ARM9ES系列。
……
点击此处查看全文
