硅谷发动机的历史
1940年前
1833：记录第一次半导体效应Michael Faraday描述了硫化银晶体中电导率随温度升高增加这一“特别的现象”。这正好与铜和其他金属的情况相反。
1874：发现半导体点接触整流效应 在第一次描述半导体二极管的笔记中，Ferdinand Braun记录了电流仅能单方向通过金属点和方铅晶体的接触处。
1901：半导体整流器申请“触须”探测器专利无线电先驱Jagadis Chandra Bose申请半导体晶体整流器用作探测无线电波的专利。
1926：场效应半导体器件概念申请专利Julius Lilienfeld提交了一项描述基于硫化铜半导体特性的三极放大器专利。19世纪三十年代人们一直尝试着去制作这样的设备。
1931：出版“半导体电子理论”Alan Wilson用量子力学解释基本的半导体特性。七年后，Boris Davydov(苏联)，Nevill Mott (英国),和Walter Schottky (德国)独立解释了整流特性。
1940s
p-n结的发现Russell Ohl发现了p-n结和硅中的光电效应，这导致了结型晶体管和太阳能电
池的发展。
1941：半导体二极管整流器应用于第二次世界大战 生成高纯锗晶体和硅晶体的技术因战时雷达微波探测器的需求发展起来。
1947：点接触晶体管的发明John Bardeen & Walter Brattain于1947年12月在锗点接触器件中获得晶体管效应。
1948：结型晶体管的概念William Shockley设想出了一种基于对p-n结效应理论理解的改进型晶体管结构。
1948：欧洲晶体管的发明Herbert Mataré 和 Heinrich Welker在法国独立创造了锗点接触晶体管。
1950s
1951：第一次生长结晶体管制造出来Gordon Teal生长了大块单晶锗，并与Morgan Sparks协同制作了n-p-n结晶体管。
1951：区域提存技术的开发William Pfann 和Henry Theurer为超纯硅材料的生产开发了区域提纯技术。
1952：贝尔实验室许可晶体管技术 贝尔实验室讨论并许可了晶体管专利，来鼓励半导体的发展。
1952:晶体管化的消费品出现半导体出现在电池驱动的助听器和便携收音机上，消费者乐意为便携性和低能耗付一定费用。
1953:晶体管计算机出现一个晶体管计算机原型显示了半导体相对电子管的体积小和低能耗的特点。
1954:硅晶体管提供超级工作特性贝尔实验室的Morris Tanenbaum制作了第一个硅晶体管，但是德州仪器展示了第一批商业产品并投入市场。
1954：晶体管扩散过程发展随着使用高温扩散方法太阳能电池的生产，Charles Lee 和Morris Tanenbaum将这项技术应用到制造高速晶体管中。
1955：氧化层的发展Carl Frosch 和 Lincoln Derick 在硅片上生成二氧化硅薄膜来保护表面，并允许控制的扩散作用进入下面的硅。
1955：照相印刷技术用于硅器件生产Jules Andrus 和 Walter Bond 采用印刷技术中的照相制版技巧，使硅片上扩散窗的精确蚀刻成为可能。
1956:硅来到硅谷Shockley半导体实验室发展了加州北部的第一个硅器件原型，并为硅谷的未来培养了年轻的工程师和科学家。
1958:隧道二极管预示高速半导体开关众多著名半导体突破因被有竞争力的技术赶上而没能达到预期， Leo Esaki的新奇器件就是其中之一。
1958:平硅晶体管进入商业生产仙童半导体开始生产扩散基mesa硅晶体管来迎合航空应用的需求。
1958：Kilby展示“固态电路”Jack Kilby制作了用半导体材料组成的正负组件构成的微型电路。
1959:“平面”生产工艺的发明Jean Hoerni发明了平面工艺来解决平面晶体管的可靠性问题，因而使半导体生产发生了革命性的变化。
1959:实用单片式集成电路概念申请专利Robert Noyce基于Jean Hoerni平面工艺申请了可以高容量生产的单片集成电路结构专利。
1960s
1960：第一块平面集成电路制造出来Jay Last 根据Hoerni平面工艺和Noyce单片集成电路方法，引领了第一块商用集成电路的发展。
1960：金属氧化物半导体（MOS）晶体管展示John Atalla 和 Dawon Kahng 制造了可工作的晶体管，并演示了第一个成功的MOS场效应放大器。
1960: 外延沉积工艺提高晶体管性能薄膜晶体生长工艺的发展产生了高速开关特性的晶体管。
1961:硅晶体管速度超过锗计算机结构工程师Seymour Cray投资第一块迎合世界上最快的机器性能要求的硅器件的发展。
1961：半导体专用测试设备进入商业市场半导体厂商和自主厂商为高吞吐量的生产制造了专用测试设备。
1962:阿波罗引导电脑承诺使用集成电路
相对于零散的晶体管设计，集成电路体积、重量和降低的能耗使它们在军事和航空系统中物有所值。
1963：发明互补型MOS电路结构Frank Wanlass发明了最低功率逻辑结构，但是性能受限，使这项今天主导的技术在早期不易被接受。
1963:标准逻辑集成电路的引进速度、成本和密集度优势确立了晶体管-晶体管逻辑（TTL）集成电路成为19世纪六七十年代最流行的标准逻辑构造模块。
1964: 混合微型电路达到生产量的高峰为IBM系统/360计算机家族发展的多芯片SLT 封装技术进入大批量生产。
1964:第一块商用MOS集成电路诞生通用微电子用一种金属-氧化物-半导体（MOS）工艺将更多晶体管封装到一个芯片里而不是双极型集成电路里，并且用这项技术制造了第一个计算器芯片组。
1964:诞生了第一个广泛应用的模拟集成电路仙童的David Talbert 和 Robert Widlar通过为模拟应用创造成功的商用集成电路，开启了一个主要的工业领域。
1965：“摩尔定律”语言未来集成电路的发展仙童的研发主管预言集成电路上的晶体管密度增长速率，为技术的发展定了个码尺。
1965:大型计算机需求专用集成电路Burroughs 和美国无线电公司（RCA）宣布第一框架计算机家族是基于单片集成电路技术。
1965: 封装首先要适应系统设计考虑双列直插式外壳格式在很大程度上使印刷电路板布线变得容易了，降低了计算机的装配成本。
1965:只读存储是第一个专用IC存储结构 工厂可编程只读存储器（ROMs）产生了第一块随机读取存储集成电路。
1966:为高速存储开发的半导体RAMs十六位二极管器件是第一块IC专门设计用于高速读写存储应用。
1966：为集成电路开发的计算机辅助设计工具IBM工程师首创计算机辅助电子设计自动化工具，来减少错误和加快设计速度。
1967:齐全的设备供应商改变工业动态第三方厂商开发半导体制造的专业知识，并作为工艺技术厂商和齐全的设备生产商崛起。
1967：第一个CAD设计应用专用集成电路自动化设计工具减少了设计和交付复杂自定义集成电路的工程开发时间。
1968:专用电流源IC集成数据转换函数出于生产组合模拟和数字性能的单个芯片生产精度需要，他们成为最后一个使用单片工艺方法的产品领域。
1968:为集成电路发展的硅栅技术Federico Faggin 和Tom Klein利用硅栅结构改进了可靠性和MOS集成电路的封装集成度。
1969: 肖特基势垒二极管让TTL存储器的速度加倍设计方法的创新改进了工业界标准的64位TTL 随机存储器速度和低功耗。它很快被应用到新的双极型逻辑和存储器设计中。
1970s
1970：MOS动态随机存取存储器与磁芯存储器价格大比拼英特尔动态随机存取存储器（DRAM）i1103开启了半导体对作为计算机存储形式的磁芯存储器的挑战。
1971:多次擦写可编程只读存储器使重复设计更加灵活Dov Froman的紫外线可擦写只读存储器为快速发展的微处理器系统提供了一个重要的设计工具，叫做可擦写、可编程只读存储器或EPROM。
1971:微处理器将CPU功能浓缩进单个芯片为了运算器设计需要的芯片数，英特尔工程师创造了第一个单片CPU，i4004，现在叫做微处理器单元或MPU。
1974：通用微控制器家族诞生了作为TMS1000微控制器单元或MCU的单片运算器设计电路产生，这种理念产生了一系列驱动现代世界的工具和玩具的通用数字芯片。
1971：数字显示式手表是第一块片上系统集成电路Microma液晶显示（LCD）数字手表是集成完全电子系统到单个硅片——叫做片上系统或SOC的第一个产品。
1974:IC工艺尺度设计规则量化IBM开发人员Robert Dennard关于工艺尺度的论文加速了全球缩小物理半径，生产更复杂集成电路的竞赛。
1978:PAL（可程序化行列逻辑）用户可编程逻辑器件诞生 单片存储器的John Birkner 和 H. T. Chua为快速发展的原型自定义逻辑功能发展了易用的可编程行列逻辑（PAL）器件和工具。
1979:单片数字信号处理器诞生了贝尔实验室的单片DSP-1数字信号处理器器件结构使电子开关系统更加完善。
