集成微电子器件
本课程研究微电子物理以及半导体器件在硅集成电路中的应用. 包含相关内容有: 半导体基本原理, p-n 结, 金属-氧化物-半导体结构, 金属-半导体结, MOS 场效应晶体管, 以及双极晶体管. 该课程强调通过能带图和短沟MOSFET器件设计，从物理上理解器件的工作原理. 也概述现代器件按比例缩小的问题. 这个课程有2 个工程设计学分。• 系美国麻省理工学院(MIT)电气工程与计算机科学系教学课程 • 由中国开放教育资源协会(CORE)委托北方工业大学副教授翻译及北京大学教师审校 • 左侧栏可查阅教学资源和测试习题 [ 阅读全文 ]

电子，光子和声子；平衡时的载流子统计；载流子产生与复合；载流子漂移与扩散 ；载流子流动

介绍金属-半导体结中载流子的流动特性

介绍p-n 结中的载流子流动原理及p-n 结在加正压和偏压的情况下电流的流动机制

Si表面与金属-氧化物-半导体结构，在热平衡时理想的MOS结构， 在非热平衡时理想的MOS结构

介绍三端MOS结构， 介绍MOSFET， 反型层传输

理想BJT，理想BJT的电流-电压特性，理想BJT的电荷-电压特性，理想BJT的小信号行为