复合半导体装置
本课程概述了用于电子、光电子和光子器件及集成电路中的复合半导体（主要是III－V族）的物理，建模、应用和制造技术。课题包括了复合半导体的性质和制造工艺，异质结的理论和实践，量子结构和假晶应变层，金属－半导体场效应管; 异质结场效应管 (HFETs) and 双极性管 (HBTs); 光敏二极管, 垂直腔和平面内腔激光二极管和其他光电器件。• 系美国麻省理工学院(MIT)电气工程与计算机科学系教学课程 • 由中国开放教育资源协会(CORE)委托国内高校教师翻译及审校 • 左侧栏可查阅教学资源和测试习题 [ 阅读全文 ]

各族半导体 (III-V's, II-VI's, IV-VI's, IV-IV's), 合金, Eg 与 a 的关系; 能带结构 (E 与 k 的关系; Γ, L, X 极小值; 直接与间接能隙); 晶格, 电特性和光特性; 特性趋势与元素周期表.有用的化合物.

复合半导体表面，费米能级限制，势垒形成原理和电流流动理论，扩散与冲击的流动，p-n 二极管对比，电连接的理论和实践，白板

E-x 分布，与异质结平行方向的电传导，半导体中的迁移率和载流子散射机制

量子阱， 量子线和点

关注点/ 约束条件 — 晶格匹配系统，应力层(假晶) — 厚度限制，应力对能带的影响

:MESFETs基本概念，各种负载接线端模型，速度饱和的解释， 动态模型，大信号开关瞬态，小信号

逻辑的执行标准，逻辑家族，常开逻辑(FL, BFL, SDFL)，常闭逻辑 (DCFL)，家族的比较，性能数据

掺杂沟道，固有门电路，调制掺杂

发射极效率，基极输运， 基极电阻，HJ 集电极和集电极精致化，渐变层的应用

基本理论，直接与间接能隙， Band-to-band能带与能带间和能带与杂质间的跃迁

光学腔和波导的基本知识，光子晶体概念，结构和问题

结构材料， 特性(i-v, l-i, l-l)， 光获取，电流散布，光子回收再用.

反馈和受激发射，腔设计， 双异质结概念.量子阱， 线, 点有效区域，应力层，假晶有效区

基本型的结构和理论: p-i-n (普通型和单载流子型，APD，肖特基二极管， m-s-m，谐振腔概念

光子线路,，光电子集成电路(OEICs): 集成目标和挑战，应用