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华为P10闪存门有苦衷?国产存储成阵痛

2017/04/21
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这两日在科技圈热议的除了“小米 6”的发布以外,另一个应该就是华为的 P10 的“闪存门”了。因为被网友质疑在最新的旗舰 P10 上使用了 UFS2.0、UFS2.1 和 emmc5.1 三种闪存,且没有告知消费者,都按照统一的价格卖,华为被网友黑得体无完肤,以致于华为终端和余承东先后出来发表澄清新闻。

坦白说,看了这两篇声明,我没看到华为的一点诚意。因为在文中除了把锅甩给闪存缺货以外,还说自己会通过努力提高自己的产品体验。余承东先生的原话是“最近关于 P10 系列手机闪存同时采用 UFS 和 EMMC 两种方案的问题,核心原因是供应链闪存的严重缺货,至今我们的 Flash 存储仍然在缺货之中。我们在软硬件的联合优化设计上,已经确保了即便使用 EMMC 存储的,仍然保持良好的实际使用性能体验”。


关于缺货的无奈我们可以理解,毕竟这是全行业的现状,但是你说你能通过软硬件的联合设计差距,就能解决 USF2.1 和 emmc5.1 的两倍多的差距?有这种黑科技,我真的倒想见识一下。


UFS 和 emmc 的速度对比


不过回头说,有关缺货这件事,除了闪存供应商从平面向 3D 制程转变,造成产能不足的可观原因外。坊间传闻,Flash 的主力供应商三星因为 Note 7 事件爆发,为了降低损失,在闪存的供应和价格上做了一些“手脚”。当然传闻只是传闻,具体真相就不得而知了,但是从这件事还有流言看来,为了避免“中芯事件”的再次重演,发展国产存储产业刻不容缓。

存储,中国半导体人的心头最痛
存储在电子产业的地位很重要,因为几乎每一个电子产品都必须要存储。在从半导体上游的角度看,这是一个举足轻重的种类。

根据 SIA 的数据显示,2016 年,全球半导体的总销售额为 3400 亿美元,其中 Logic 器件的收入占最大头,高达 915 亿美元;存储则紧跟其后,总营收为 768 亿美元。而在这个全球第二大的半导体组件里,中国几乎是一穷二白。

在主流的存储产品市场,三星、东芝、西部数据、美光、SK 海力士和 Intel 几乎垄断了全球所有的 NAND Flash 市场;而在 DRAM 市场,则是三星、SK 海力士、美光、南亚、华邦电子和力晶的天下。从 Dramexchange 的数据显示,这几家厂商垄断了存储市场。也就是说按照 2016 年四季度的出货量统计,在 NAND Flash 领域,没有中国厂商的身影;而在 DRAM 领域,三星、SK 海力士和美光更是占据了高达 93.6%的市场份额,另外的供应商除了南亚、华邦电子和力晶以外,再没看到华商的身影。于是光在存储这个领域,这些供应商每年都从中国挣走了很多的外汇。


2016 年第四季度的的 NAND Flash 供应商及其份额

 


2016 年第四季度的 DRAM 供应商及其份额


赛迪顾问数据显示,2014 年,中国存储芯片市场规模为 2465.5 亿美元,占国内集成电路市场份额的 23.7%。更让人头疼的是从去年年中到现在,全球的存储价格陷入了疯狂增长状态。同样是 Dramexchange 的数据显示,2016 年 Q4 季度 DRAM 内存平均合约价格上涨了 30%,今年 Q1 DRAM 也涨了 15%;而 NAND Flash 也涨价超过 20%,且涨价风暴将会持续到 2017 年底,这对本身毛利就不高的移动设备终端厂商(绝大多数是中国厂商)来说,是非常艰难的。

从全球发展形势来看,正在兴起的智能驾驶物联网和大数据等应用,将会产生庞大的数据,进而拉动对存储芯片的需求。这对于市场容量巨大的中国来说,存储这块产品的缺失无疑是雪上加霜的,这也成为困扰中国电子人的阿喀琉斯之踵。

奋起直追,但困难重重
深受元器件缺失之痛的中国半导体人很早就投入了打破国外垄断的“战斗”中去,存储产业也不例外。在 2006 年,武汉投资 100 亿元启动了武汉新芯项目;2009 年,浪潮集团山东华芯半导体收购了原德国奇梦达有限公司,并将其更名化西安华芯半导体。有志青年前赴后继地投入这个产业,想实现中国存储产业零的突破。进入最近几年,由于国家政策和资金对集成电路的大力扶持,消耗量巨大的存储产业又迎来了一波建设高潮。

2015 年,紫光集团记下的紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司,将其更名为西安紫光国芯半导体有限公司;2016 年 7 月,紫光集团斥资收购了武汉新芯的绝大多数股权,并成立了长江存储。进而形成了国内存储领域的第一大势力。其中紫光国芯聚焦在 DRAM 产品研发,而长江存储的发展目标则是目前流行的 3D NAND Flash;而在日前,紫光国芯宣布,通过其子公司湖北紫光国器科技股份有限公司控股长江存储,控股比例为 51.04%。

同样在 2016 年,联电与福建晋华集成电路签署了技术合作协定,共同开发 DRAM 相关技术。

中芯国际的前 CEO 王宁国则联手兆易创新和合肥市政府,打造了合肥长鑫项目,目标也是 DRAM。

从目前已泄露的信息看来,以紫光系发展最为迅速。在早前 CCTV2 的“中国芯”系列报道里,长江存储计划的操盘手高启全表示,他们研发的中国自主 32 层 3D NAND 将会在 2017 年底提供样品。尔后,还将投入到 64 层 3D NAND Flash 的研发,届时与三星、SK 海力士和东芝等的差距,会缩小到一代。高启全还指出,长江存储还会考虑投入到 18/20nm DRAM 的研发,从这次紫光国芯的动作来看,这几乎是板上钉钉的事实。但事情永远不会那么一帆风顺,中国存储产业发展首先要面对的是技术和人才的缺失。

很早以前,有日本从业者对于长江存储的 3D NAND Flash 技术有所怀疑,认为这个来自武汉新芯与 Spansion 合作的技术不靠谱,因为 Spansion 本身也未曾量产过,因此业内对此持有保留的态度。

但在这次高启全宣布在 2017 年底提供 32 层 3D NAND Flash 样品的时候,也着实让世界业者感到惊讶,于是他们提出新的论调。例如到长江存储量产的时候,三星等可能已经去到了 100 层或以上,长江存储花费巨资研发出来的产品怎么从价格上去参与竞争?

在 DRAM 上面临同样的问题,中国台湾力晶创始人兼 CEO 黄崇仁表示,大陆扶植半导体以为撒钱就可以,但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续,必须要有技术在手才行,但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆 3 家存储器,包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华,预计进入大陆 DRAM 产业的脚步会放缓。

他还指出,由于一些客观因素,大陆几乎不可能从美光或者日韩厂商手上获得 DRAM 技术的授权,联想到中国台湾当时发展也要从国外大厂获取授权,他认为大陆生产 DRAM,几乎是个不可能任务,就算强行上马,也会面临侵权风险。

走笼络人才路线,又是另一个路线,但是早前美光和华亚科的动作表明,这对于中国半导体来说越来越困难,所以对中国存储来说,乃至中国半导体来说,都需要探索一条更新的发展路线。例如曾经收购了美光技术的研究机构和专利授权公司 Round Rock Research LLC、例如和美光有交差授权服务的 Quatela Lynch McCurdy,这会是中国发展存储产业的光明之路嘛?

后记
在说完了我的观点以后,我们再回到华为 P10 这件事上面,你问我的态度如何,我的答案当然是选择原谅他啦。

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华为创立于1987年,是全球领先的ICT(信息与通信)基础设施和智能终端提供商。目前华为约有19.7万员工,业务遍及170多个国家和地区,服务全球30多亿人口。华为致力于把数字世界带入每个人、每个家庭、每个组织,构建万物互联的智能世界:让无处不在的联接,成为人人平等的权利,成为智能世界的前提和基础;为世界提供最强算力,让云无处不在,让智能无所不及;所有的行业和组织,因强大的数字平台而变得敏捷、高效、生机勃勃;通过AI重新定义体验,让消费者在家居、出行、办公、影音娱乐、运动健康等全场景获得极致的个性化智慧体验。

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