一文带你看透美光涉案专利到底是哪些?

2018-07-06 11:04:07 来源:微信科技
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2018年7月3日,应福建晋华申请,福州中院发布诉中禁令,裁定美光立即停止在大陆销售部分固态硬盘、内存条及相关芯片产品。福建晋华与其关联公司台湾联合电子对该事件均发布了公告。该专利侵权案也引起国内外媒体的广泛关注,成为了国际新闻。

 

综合各媒体的消息,国内侧重点在于美光作为全球三大内存供应商之一,侵犯了福建晋华的专利权,从而导致法院发布临时禁令;而国外媒体则侧重于台湾联合电子与美光去年的恩怨纠纷,将诉中禁令与中美贸易战相关联。2017年12月,美光向美国加州法院起诉,控告台湾联合电子窃取美光商业秘密。

 

福建晋华的公告及新闻媒体对美光涉嫌侵犯的专利语焉不详。依据公开的信息进行推理、验证,从而得出符合逻辑的结论,是一门科学。笔者在进入专利行业之前,曾经有两年的情报咨询从业经历,忍不住一探究竟,试图锁定福建晋华与美国美光的涉案专利,或者至少缩小涉案专利的范围。

 

1 如何根据公开的信息锁定涉案专利

福建晋华集成电路成立于2016年2月,其申请的专利也在其成立后,并且处于公开或审查阶段,并没有获得授权。福建晋华的涉案专利权并非来源于自身申请。

 

根据福建晋华公司网站介绍,其与台湾联华电子开展技术合作,建设圆晶厂生产线,并且在福建晋华发布诉中禁令公告的同时,台湾联华电子也同样发布了公告,可知两家公司关系密切。

 

在incopat数据库中查询,发现台湾联华电子曾将25件专利权转让给福建晋华,并于2018年1月3日完成转让,而晋华起诉美光的日期在2018年1月19日,推测专利的转让即为起诉做准备,晋华起诉专利必然存在于这转让的25件专利之中。

 

根据福建晋华的公告“晋华的专利已于2009年及2012年获得授权并向外界公布”,可知专利授权日为2012年和2009年,而转让专利之中,授权日符合规定的只有5件,如下表所示。

 


“焊垫结构”专利授权日为2012年,且仅有一件,必为涉案专利之一。根据公告中的“先进实验室延续进行着精细严谨的逐层剖析”,侵权产品为内存条、固态硬盘及相关芯片,以及“将剖析取得的特征与晋华主张权利要求中的技术特征进行一一比对”,合理推断侵权专利为芯片专利,跟结构相关,可以排除专利序号4-5。而逐层剖析取得特征更大可能是“内连线结构”。

 

综合上述分析,可以确定福建晋华与美国美光的涉案专利必然包括“焊垫结构”,很大可能性包括“内连线结构及其制作方法”,“使用基底触发硅控整流器的静电放电防护电路”也具有一定的可能性。

 


福建晋华受让了25件专利,随着逐层剖析的进行,可能会发现美光产品侵犯其它专利权,在这25件专利中,除去内存芯片的制造工艺、制造设备等方面的专利,还包括“局部耗尽SOI金属氧化物半导体元件”、“发光二极管照明装置”、“具有基体触发效应的硅可控整流器”等与产品结构有关的专利,这些专利也是引发专利侵权的重点专利。

 

2涉案专利介绍

根据晋华网站公告,美光涉嫌侵犯专利权的产品不仅包括MX300 2.5-inch SSD 525GB 固态硬盘、Crucial DDR4 2133 8G 笔记本内存条,还包含数款DDR4笔记本与台式机内存条,MX500系列的2TB、1TB、500GB、250GB 2.5英寸的固态硬盘,及相关侵权芯片。综合各方面的信息,内存条、固态硬盘因使用了侵权芯片而导致相应专利侵权。

 

1、CN200810109427.X——焊垫结构

权利要求1:一种焊垫结构,位于主动电路结构上方,其特征在于包括:焊垫;保护层,覆盖该焊垫且具有开口,而该开口暴露出部分该焊垫;以及该主动电路结构中的最上层金属层,该最上层金属层的位于该开口下方的部分为支撑层,该支撑层具有至少一个缝隙,且该最上层金属层通过多个介层窗插塞与该焊垫电性连接。

 

 


该专利于2012年获得授权,根据说明书,在焊垫结构中,支撑层具有至少一个缝隙,因此能够提高支撑层的杨氏系数,进而提高焊垫的引线拉力强度及可靠度,而避免在进行接线的过程中造成焊垫破裂或与介电层脱离。此外,支撑层还可以防止引线压力对焊垫下方的半导体结构造成伤害。

 

2、CN200510118495.9——内连线结构及其制作方法

权利要求1:一种内连线结构,包括:一衬底,该衬底具有一导电区;一第一介电层,配置于该衬底上;一第一光吸收层,配置于该衬底与该第一介电层之间;一双镶嵌结构,配置于该第一介电层与该第一光吸收层中,且该双镶嵌结构与该导电区电性连接;一第二介电层,配置于该第一介电层上;以及一第二光吸收层,配置于该第一介电层与该第二介电层之间,其中,该第一光吸收层与该第二光吸收层吸收紫外光。

 

 


该专利于2009年获得授权,根据说明书,因为在内连结构中的各介电层之间形成一层光吸收层,利用光吸收层能有效吸收紫外光线的特性,使得位于较低层的介电层在光照光熟化工艺中,不会受到多次紫外光照光熟化的影响,以避免介电层的物理性质随着照光熟化处理次数的增加而改变,进而导致每一层介电层之间的物理性质有所差异。 

 

3 可能的后果

1、被诉专利侵权,美光必然会对相应专利提起无效,釜底抽薪。福州中院已经发布诉中禁令,由于标的额大,涉及担保,法院必是经过慎重考虑作出的,再加上当下中美关系的国际背景,美光复议撤销禁令的概率不大,最终结果对美光极其不力。根据福建晋华的网站公告以及专利转让情况,晋华诉美光专利侵权有备而来,随着对美光产品“精细严谨的逐层剖析”不断进行,晋华还可能针对美光其它产品提起专利侵权诉讼。

 

2、内存行业已经形成美光、三星、SK海力士三家寡头控制的格局,其中美光50%的营收来自中国市场,中国市场对美光之重要性犹如美国市场之对于中兴,不同的是美国政府可以直接让中兴休克、破产。美光可能选择与中兴相同的应对策略,与福建晋华及其关联企业台湾联合电子和解。

 

3、福建晋华作为内存产业的新进入者,未见产品上市,但经此一役,“未见其人,先闻其声”,有利于开拓国内外市场,打破寡头垄断局面。

 
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