美韩联合报告取得3D IC突破性成果

斯坦福大学纳米制造中心(SNF)、韩国国家纳米制造中心(NNFC)和美国俄勒冈新创公司BeSang昨天联合报告在三维集成电路(3D IC)技术方面取得突破性成果。

NNFC 和 SNF采用业界标准0.18微米CMOS技术和8英寸晶圆开发出了包含1.28亿个垂直器件的三维集成电路。研发人员在400摄氏度以下的低温环境中，首先在带两个金属互连层的硅基板上形成亚微米厚度的单晶硅层，然后再形成垂直器件和额外的金属层。

这项技术在垂直器件上下都形成完全的三维互连，而传统的半导体技术是在半导体基板表面上形成平面型器件，互连仅限于平面器件之上。

报告中表示，这种新的3D IC利用传统通孔技术可实现无限的3D互连能力，不需要晶圆对准，也无需硅直通孔来实现3D互连。

虽然半导体行业对芯片级3D IC的研发已有多年，但由于该技术存在诸多技术性挑战，比如需要高温制造环境，半导体层易出现缺陷、3D互连有限以及工艺复杂等，芯片级3D IC至今未能引入市场。而新的3D IC技术能够解决这些问题，从而真正实现3D IC的商用化。

这项技术将大幅提高单位面积上的集成度，显著降低半导体制造成本，延长CMOS的技术寿命。

http://www.edn.com/article/CA6587277.html