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美国 Verizon 计划 2017 年试商用 5G 网络，俄罗斯（2018 世界杯）、韩国（2018 冬奥会）、日本（2020 奥运会）等国家也计划借助大型体育赛事的契机将 5G 商用。国际电联（ITU）给出的 5G 部署时间点是 2020 年，所以是否在 2020 年以前商用化 5G，中国相关部门并没有明显的表态，但这并不意味着中国推进 5G 的进度比其他国家慢。近日一则新闻就引发了国人的关注：国际移动通信标准化组织 3GPP 宣布，5G 控制信道编码中的短码采用华为主推的 Polar 码方案。
Qorvo 基础设施和国防产品大客户销售经理万文豪表示，与 5G 国际标准在加紧制定相似，在 5G 发展上中国已经完成了很多关键技术的验证，例如大规模多入多出技术（Massive MIMO）、毫米波（本文中毫米波与微波同义）技术以及网络侧架构的设想等，接下来还会进行单基站性能测试、网络侧和应用侧的具体应用场景测试等技术验证。“第二步非常明确，低频（6GHz 以下）技术发展会非常快，毕竟这个波段不像毫米波，毫米波还是有非常多的挑战。”万文豪说道。
Qorvo 基础设施和国防产品大客户销售经理万文豪
毫米波技术的难点
万文豪告诉与非网记者，毫米波技术在基站侧的难点主要是如何设计网络架构。由于波长较短，高大建筑物很容易遮挡毫米波的传输，所以毫米波只能做视距传输。相比美欧，人口密度更高的亚洲地区部署毫米波通信的难度更高。“在美国有很多点对点的微波蜂窝系统，但中国就比较少见到。”他举例说。
虽然有挑战，但毫米波技术毕竟已经发展了几十年，在网络侧实现并不太难。“射频就是一个物理通道，并不需要要解决非常复杂的问题，它需要做的就是把路建得越来越宽阔平直，射频通路建设好了，效率、带宽都会上去。”
毫米波的真正挑战在手机端，万文豪认为传统手机厂商在毫米波应用上还没有比较明确的思路，最开始采用毫米波技术的终端设备可能是数据卡或者客户定制产品（CPE），然后慢慢过渡到手机。
“从技术上来看，传统的射频器件以砷化镓（GaAs）为主，毫米波要用到氮化镓（GaN），但现在氮化镓器件都是高压器件，”万文豪解释毫米波技术应用到手机上的难点，“如何做到低压，以适应手机对射频器件的要求，还需要比较长的历程。”
除了对射频器件要求极高以外，5G 也将改变手机天线的设计。“微波肯定是 Massive MIMO，手机端至少要有 4 根或 8 根天线。天线怎么放？射频前端放哪里？都是问题。”万文豪分析，由于微波通信速率高，为了减少中间损耗，应该将射频前端模组（FEM）与天线的距离尽可能缩短，甚至贴在一起。“贴在一起又带来一个问题，封装形式要变，传统是底部散热，以后可能会变成顶部散热。射频放大器芯片裸片的贴装形式将发生很大的改变。”
5G 大规模商用时间仍然待定
虽然普遍预期 5G 大规模部署时间点是在 2020 年，但业内也有一种声音认为 5G 部署时间可能会被推迟。全球经济经济形势不太好是 5G 可能会被推迟的原因之一，另外一个原因是 5G 标准还没有完全落实下来。每一种标准都是背后不同利益集团之间的较量，利益集团之间的势力越均衡，标准冻结所需要花费的时间可能就会越长，在控制信道编码短码中的 Polar 码与 LPDC 码之争就是一个案例。万文豪认为，不同标准利益交叉的地方如何平衡，非常考验移动通信国际标准组织的智慧。
5G 商用时间表
但他也表示，一旦标准全部冻结，5G 商用化的进度会很快。“在标准制定过程中，设备厂商都对技术做了充分的试验，以验证技术可行性，器件级厂商也会与设备厂商合作，在标准冻结之前都会有相对成熟的原型机。所以标准定了，就说明问题基本上已经解决。”
如今 4G 网络部署已经很完善，而 5G 还没有到来，设备商与运营商在 2020 年之前主要工作是什么呢？通过 4.5G 或者 Pre 5G 等概念向 5G 逐步过渡是当前主要设备商与运营商的策略，据万文豪介绍，4.5G 主要的技术有载波聚合和大规模多入多出技术。“现在的手机都已经支持载波聚合技术，以后更多集中在 Massive MIMO 实现上，逐渐完成从 4G 到 5G 的过渡。。利用 Massive MIMO 技术，手机可以支持更高的速率，但对基站的带宽要求也更高。”
氮化镓产业日趋成熟
作为一家“专注射频 31 年”的公司，Oorvo 能提供的射频器件工艺极其广泛，从 CMOS、砷化镓、氮化镓、磷化铟（InP）到 SOI 工艺都有布局。而氮化镓更是被 Qorvo 视为 5G 时代最重要的射频工艺之一。
Qorvo 射频工艺很齐全
外媒曾有一篇文章详细介绍了氮化镓工艺的优势，该文章认为与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与 LDCMOS 和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。
万文豪也提到，与砷化镓相比，氮化镓的散热性更好，因此可以减小尺寸，更利于集成。不过相比 LDMOS，氮化镓的成本还是高太多，但客户对氮化镓器件的接受程度已经发生了改变。“两年前客户只是试着了解一下这个技术，知道有这个东西，但现在完全是从产品化的角度来向我们咨询问题。”
GaN 器件更有利于设备小型化
在基站侧，氮化镓器件渗透率已经不是个位数，据估计，2016 年国内通信设备厂商氮化镓器件采用率将在 10%至 40%之间。
“我们希望氮化镓产业发展得更快、更好，不说取代 LDMOS，至少要和 LDMOS 做到平分秋色。到做技术的人在选择氮化镓器件不再犹豫时，氮化镓这个产业就算成熟了。”万文豪总结道。
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