派更半导体公司推出100瓦RF SOI功率限幅器

2017-05-18 15:22:07 来源:EEFOCUS
标签:

新一代UltraCMOS® PE45361是分立式PIN结二极管功率限幅器的单片替代品,可提供可靠且可重复的接收机保护


RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOS® PE45361。作为派更半导体公司功率限幅器系列产品的新一代成员,PE45361建立在备受好评的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得极大成功的基础之上,并添加了更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一种取代砷化镓(GaAs)分立PIN结二极管功率限幅器的单片式方案,可保护设备不会受到过高RF功率、故意干扰及ESD事件的损害。PE45361能够为测试与测量设备及无线基础架构收发器中的敏感低噪声接收机提供可靠且可重复的功率保护。

派更半导体公司全球销售副总裁Colin Hunt表示:“派更半导体的单片功率限幅器为我们的客户提供了一种增强射频功率保护的新奇而强大的方案。我们推出的PE45361基于我们UltraCMOS限幅器的关键射频性能及物料清单(BOM)成本优势,并可提供100瓦功率处理能力,实现较低的限幅阈值,从而保护敏感的低噪声放大器(LNA)。”
 
与PIN结二极管功率限幅器相比,UltraCMOS功率限幅器的响应时间和恢复时间方面加快了10倍,线性度(IIP3 )改善了10~40 dB,静电放电(ESD)保护能力提高了20倍。此外,UltraCMOS功率限幅器占用的电路板空间通常也小于PIN结二极管功率限幅器。最后,UltraCMOS功率限幅器可通过低电流压控管脚(VCTRL)调节限幅阈值,无需配置隔直电容、射频扼流电感器及偏置电阻器等外接元件。

与其它UltraCMOS功率限幅器一样,PE45361也设有两种工作模式:功率限幅和功率反射,从而最大程度地提高性能与灵活性。用户可通过可编程管脚VCTRL选择模式。在功率限幅模式下,限幅器对负载不起作用。当输入射频信号功率超过VCTRL设定的限幅阈值时,限幅器将限制输入的射频功率。在极端环境中使用功率反射模式时,限幅器将把大部分入射功率反射回功率源。

产品特性、封装、价格与供货
PE45361功率限幅器覆盖10 MHz~6 GHz频段,可为高性能功率限幅应用提供卓越的功率保护功能。该限幅器可处理高达50 dBm或100瓦的大脉冲功率,可调限幅阈值为7 dBm~13 dBm,正向阈值控制为0伏至0.3伏。在6 GHz时,PE45361的低插入损耗为0.95 dB,高回波损耗为12 dB。PE45361的快速响应时间仅为0.6纳秒,迅捷恢复时间为1纳秒,线性度(IIP3)达37 dBm。PE45361静电放电功能极强,可达7 kV HBM。

量产零件与评估工具现已上市。PE45361采用紧凑型12引脚3x3 mm QFN封装,订购1万片的价格为每片4.30美元。

 


 

 
关注与非网微信 ( ee-focus )
限量版产业观察、行业动态、技术大餐每日推荐
享受快时代的精品慢阅读
 

 

继续阅读
RF SOI产能严重不足,衬底等原材料缺货是元凶?
RF SOI产能严重不足,衬底等原材料缺货是元凶?

为了应对智能手机对RF SOI工艺的巨大需求造成的供不应求,几家晶圆代工厂正在努力扩大RF SOI工艺的产能。

派更半导体公司宣布可量产供应开创性的UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司宣布,其可立即量产供应UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。

派更半导体公司推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关
派更半导体公司推出UltraCMOS PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关

RF SOI(射频绝缘体上硅)的发明者及先进射频解决方案的先驱派更(Peregrine)半导体公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。

芯片世界观︱射频器件升温,RF MEMS/RF SOI两种工艺的博弈才刚刚开始?
芯片世界观︱射频器件升温,RF MEMS/RF SOI两种工艺的博弈才刚刚开始?

射频器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统射频开关芯片和调谐器,用于当今的4G无线网络。最近,GlobalFoundries为未来的5G网络推出了45nm RF SOI工艺。为了改变市场格局,一家无晶圆厂IC设计公司正在推出基于替代工艺RF MEMS的新一代RF产品和天线调谐器

追捧持续升温,移动市场为何对RF-SOI情有独钟?

移动市场对RF SOI的追捧持续升温,因为它以高性价比实现了低插入损耗,在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择,能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度,同时有望在物联网中发挥关键作用。

更多资讯
射频工程师的前路在哪里?

今天我写的这篇文章,是想和行里的各位朋友讨论一下,射频工程师的前路在哪里?

一文读懂三角法和TOF激光雷达

激光雷达作为众多智能设备的核心传感器,其应用已经非常广泛。如今我们能够在无人驾驶小车、服务机器人、AGV叉车、智能路政交通以及自动化生产线上频频看到激光雷达的身影,也足以说明它在人工智能产业链上不可或缺的地位。

第四代显示技术:激光显示技术

激光显示技术是继黑白显示、彩色显示、数字显示之后的第四代显示技术。在众多不断发展的显示技术中,激光显示技术代表显示技术未来发展的趋势和主流方向,是未来显示领域竞争的焦点。

缩短波长是持续扩展光学微影技术的一种选择

现在正是再次探讨缩短波长并了解其优缺点的时候了。我们不知道13.5nm和1nm之间的最佳选择,所以我将这种新技术选项称为Blue-X——其波长大约介于深蓝极紫外光(EUV)微影和X射线之间。

3D结构光最全科普文章

HUAWEI Mate 20 Pro采用2400万前置摄像头,拥有3D结构光设计,3D智能美颜,自拍清晰自然;同时支持3D人脸解锁,带来毫秒级解锁体验。

Moore8直播课堂