另一篇关于PCM介绍更详细的文章：《恒忆高管PCM技术问答录》
作为一种新型的非易失性存储技术，PCM（相变存储技术）可谓风光占尽。2007年初，瑞萨宣布携手日立开发出运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块，2009年恩智浦首席技术执行官Rene
PenningdeVries在一场技术研讨会上也高调表示：PCM技术非常有前景，未来恩智浦将持续关注该技术发展。今年的IIC-China
2009武汉站上，华中科技大学电子系教授缪向水也向笔者分析：下一代存储器技术既不是MRAM(磁阻式随机存储器)，也不是FeRAM(铁电随机存储器)，而是目前还正处于研发阶段的相变存储器。
而这其中最让人振奋的则是来自今年6月中旬恒忆和三星电子联手打造PCM标准的消息。作为PCM技术的坚实拥护者，恒忆多年来一直积极推动相变存储技术的发展。近日在北京举办的一场媒体发布会上，恒忆亚洲区嵌入式业务及渠道销售副总裁龚翊对与非网记者说和三星电子的结盟，能够发挥引导新技术入市时的领导作用与厘清功能。“三星电子一直是存储产业的大鳄，其RAM和DRAM产品出货量占整个市场近30%、闪存市场长期以来近40%的份额也稳如泰山。通过三星电子的支持来带动PCM技术的发展，从某种程度上来说，相变存储技术已经比同期的FeRAM、MRAM等NAND
Flash技术领先一步，”她说。
缪向水也曾向笔者解释：FeRAM技术已经上市多年，但其应用市场一直有限，这也从一方面说明了该技术的局限性。MRAM虽然才出现2-3年，但应用市场也非常有限，规模也上不去。尽管这两种存储器都有很多超越闪存的优点，但其市场表现说明市场对这些新优势的需求并不是那么迫切。“三星电子的推动意味着PCM更符合存储技术未来发展的需求。作为受08~09经济衰退影响最大的领域，存储行业也是目前产业回暖之际最具发展潜力的市场之一。领导型企业的任何动作都会带领中下游一大批厂商关注，在有关未来存储市场的争夺战中，谁也不敢掉以轻心。”
PCM技术原型
“规范化的PCM技术还能有效的协助芯片厂商及整个产业体系中的其他厂商达成产品标准化，并且有助催生新一代的存储技术，使手机
OEM、嵌入式系统、高级运算装置厂商和他们的客户从中受益，”龚翊补充道，“目前，我们的第一代45nm PCM产品已经交付用户测试。”
就在三星宣布力推PCM技术之后不久，英特尔研究人员就演示了在单裸片里堆叠多层PCM阵列的能力（恒忆是由英特尔和意法半导体联合成立的存储公司），公司负责存储技术发展的AlFazio在接受媒体访问时表示：堆叠多层PCMS的能力将使得PCM在保持性能优势的同时带来更高存储密度，将替代原有NAND
Flash技术无法堆叠的缺憾。
而在今年4月初的IIC China北京站上，恒忆副总裁兼首席CTO Edward Doller先生也为我们介绍了PCM技术与DRAM、NOR、EEPROM以及NAND技术相比的优势所在。他说：“与同类竞争技术相比，主要指闪存（包括NAND和NOR）以及DRAM技术，PCM的读写性能要比目前的闪存快很多。功耗的话，闪存和PCM都具备低功耗特点。数据保存周期，PCM要比闪存快很多。易用性方面PCM和DRAM都有优势。而在用户比较敏感的成本方面，PCM和DRAM应该也在同一水平，但是因为闪存目前属于大规模生产，它的成本还是具备一定优势。”
PCM技术与同类竞争技术比较图
对PCM上述特点，龚翊表示认同。她说：“总的说来，PCM属于下一代存储产品。随着我们不断推出新制程，不断提高产品性能以后，从各方面的性能来讲会比闪存和DRAM在存储技术方面更具优势。”
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