zhangshuangqing的博客

原核经过修改控制SDRAM大小后，存在以下问题：
    如在将写入SDRAM的时候，中间产生自动刷新操作，刷新操作正确执行，同时数据写入操作并未停止而继续进行，但由于控制核在进行刷新操作，数据未能经过 控制核正确输出并写入SDRAM中。
    在原Xilinx SDRAM控制器中ref_cntr.v文件中，对变量“rcount”进行监控，当“rcount”小于10时，通过控制核输出DO_REF信号为 ‘1’。
    SDRAM控制器输入接口（负责初始化控制器、将读写命令发送给控制核并控制进行读写工作，sdrm_c_interface.v文件）接收该 DO_REF信号并触发“do_cmd”变量为‘0’（do_cmd == 0时不得进行读写操作），当DO_REF信号为‘1’时，始终不进行读写工作（do_cmd <= 0）。当控制核刷新命令已经经过处理，控制核将在7个时钟周期内进行刷新，此时DO_REF信号变为‘0’，注意，由于进入刷新过程而命令并未执行，此时 仍不可进行读写操作，在DO_REF信号变为‘0’后延迟25个时钟周期后，将“do_cmd”变量设置为‘1’（可以进行读写操作），则继续进行读写操 作。
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sdrm_c_interface.v内修改代 码如下：
写数据开始判断条件内加入条件：do_cmd == 1，关系为&&（并且）
读数据开始判断条件内加入条 件：do_cmd == 1，关系为&&（并且）
添加部分控制代码于初始化、读、写操作的always前：
reg    do_cmd;
reg [5:0]    do_cmd_delay;
always @(posedge clk)        //zts
    begin
        if(DO_REF == 1)
            begin
                do_cmd <= 0;
                do_cmd_delay <= 1;
            end
        else if(do_cmd_delay != 0)
            begin
                if(do_cmd_delay == 25)    //保证refresh能成功完成
                    begin
                        do_cmd <= 1;
                        do_cmd_delay <= 0;
                    end
                else
                    begin
                        do_cmd_delay <= do_cmd_delay + 1;
                        do_cmd <= 0;
                    end
            end
        else
            begin
                do_cmd <= 1;
                do_cmd_delay <= 0;
            end
    end
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ref_cntr.v 内修改代码如下：
添加于module末尾：
reg do_ref;
assign    DO_REF = do_ref;
always @(rcount)    //监控rcount变量
    begin
        if(rcount <= 10)    //提前在刷新操作开始前多少时钟停止读写功能
                    //保证burst读写能将剩余数据读写完毕
            do_ref <= 1;
        else
            do_ref <= 0;
    end
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以 上数据变量中（do_cmd_delay == 25、rcount <= 10）以仿真波形调整，其值与Load value for Controller MR值相关，即与burst_max、ref_max、ki_max、cas_lat_max、rcd_c_max均有关。