3
“2010 年，罗姆（ROHM）公司决定将工业和汽车领域应用作为重点战略方向之一，这两个行业的业务在公司总销售额中的占比从 2004 年的 14%上升到 2015 年最新的 35%，预计 2016 年将达到 36%。”近日在罗姆（ROHM）公司最新 80V 级高耐压 DC/DC 转换器产品 BD9G341AEFJ 的发布会上，ROHM 半导体（上海）有限公司 设计中心 应用技术二部 高级经理 周劲如是说。
2010 年是传统家电业走向衰退，智能手机开始主导消费电子市场增长的一个拐点，罗姆（ROHM）这时选择战略调整不可谓不明智，而工业、汽车电子也以持续稳定的增长率回应了罗姆（ROHM）当初选择的正确性。目前罗姆（ROHM）公司在工业设备市场的主要产品包括电源管理、电机驱动、MOS 管、智能功率模块等功率器件产品，以及传感器、低功耗 MCU、无线通信模块等 IoT 产品。
ROHM 半导体（上海）有限公司 设计中心 应用技术二部 高级经理 周劲
周劲介绍，罗姆（ROHM）此次推出的 80V 级高耐压 DC/DC 转换器产品基于其成熟的第三代 0.6µmBiCDMOS 工艺。这种工艺的第一代诞生于 1995 年，当时为 3.0µm 制程，将 BiPOLAR、CMOS、DMOS 工艺集成在一个 die 上，从而让传统电源模块中的启动芯片、控制芯片和 MOSFET 芯片可以在单芯片上得以实现，让电源产品的集成度大大提高。随工艺改进以及市场需求的增长，到 1998 年第二代 1.7µm BiCDMOS 工艺研发成功后，这种工艺生产的电源芯片开始成为罗姆（ROHM）公司整体电源产品的主要营收来源。到 2014 年这种工艺已经演进到第五代 0.13µm。
第三代 0.6µm BiCDMOS 工艺于 2003 年推出，基于 8 英寸晶圆，经过 10 多年的产品验证，目前已经成熟。周劲表示，此次 80V 级高耐压 DC/DC 转换器新品因为逻辑控制电路部分规模不大，而对芯片耐压性能要求苛刻，采用较大线宽的 0.6µm 工艺显然更有利于实现耐压性能的提升，因此选择采用已成熟完善的 0.6µm 工艺。
ROHM LSI 商品开发本部 工业设备战略部 部长 上林忠史
较之现有工艺通过扩大芯片空间面积来实现更高耐压，罗姆（ROHM）推出的 BD9G341AEFJ 在目前业界最高的 80V 耐压的基础上实现了更小的芯片尺寸，采用 4.9*6.0*1.0 的 HTSOP-J8 封装，周劲把这种高规格的实现归功于罗姆（ROHM）在高耐压元件工艺和模拟电路设计（包括可在更宽输入电压范围内工作的电路结构设计、周边元器件的高耐压化带来的寄生效应处理方面的考虑，以及 ESD 保护电路的设计经验）方面的综合实力。工艺方面，BD9G341AEFJ 突破性的采用了二次外延的方法，保证了芯片面积足够小，这种方法对工艺的精密控制和制程精准度有着极高的要求。这让罗姆（ROHM）多次强调的自身一条龙生产体制的优势再次显现。ROHM LSI 商品开发本部 工业设备战略部 部长 上林忠史表示，相较于目前很多芯片厂商乐于采用的 Fabless 这种轻资产的商业模式，罗姆（ROHM）一直坚持一条龙的生产体制，希望对材料、设计以及生产、封测等整个产线实现严格和精密的管控，从而在工艺、产品研发等各个环节实现产品质量以及成本控制的最优化。
不得不说，是这种“控制欲”，让以罗姆（ROHM）为代表的一些日系半导体厂商始终坚持全产品线的经营模式。同时我们也看到，虽然 Fabless 模式降低了半导体创业公司的进入门槛，让这个市场的竞争呈现更多元化的格局，但到了那些对工艺细节改善的要求更严苛的环境，尤其是模拟 / 射频等领域，拥有自己的 Fab 无疑将更有利于半导体厂商保持技术领先性。
更多有关罗姆（ROHM）的资讯，欢迎访问 与非网罗姆专区
与非网原创内容，未经许可，不得转载！
下载ECAD模型
