凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3bt 受电设备 (PD) 接口控制器 LT4295,该器件适用于要求接受高达 71W 功率的应用。下一代以太网供电 (PoE) 标准 IEEE 802.3bt 使制造商能够超越 2009 IEEE 802.3at 标准分配的 25.5W 功率。凌力尔特准备率先提供符合下一代 IEEE 标准的产品。这个新标准又称为 PoE++ 或 4PPoE,提高了功率预算以实现新型应用和功能,同时支持 10Gb 以太网 (10GBASE-T),并保持与较旧版本 IEEE 设备的向后兼容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求,支持新宣布的功能,包括所有新增加的 PD 类别 (5、6、7 和 8)、新增加的 PD 类型 (3 类和 4 类) 以及 5 事件分级。

 

LT4295 是一款单特征 802.3bt PD 控制器,集成了一个隔离式开关稳压器控制器,提供辅助电源支持,能够在采用高效率正向拓扑和无光耦合反激式拓扑时同步运行。由于集成度很高,所以减少了所需组件和所需占用的电路板空间,从而简化了前端 PD 设计,使 LT4295 仅凭自身这一个 IC,就能够高效地向 PD 负载供电。与集成功率 MOSFET 的传统 PD 控制器不同,LT4295 控制一个外部 MOSFET,以显著地降低 PD 产生的总体热量,并最大限度提高电源效率,由于 802.3bt 的功率水平更高,因此这一点尤其重要。一个外部 MOSFET 这种架构使用户能够按照应用要求选择 MOSFET 尺寸,基于 LT4295 的标准实现方案一般选用 30mΩ RDS(ON) MOSFET。

 

LT4295 有工业和汽车温度级版本,分别支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作温度范围。LT4295 的千片批购价为每片 2.75 美元,已开始生产供货。LT4295 为包括 LT4276 和 LT4275 在内的凌力尔特现有 PoE+ PD 控制器提供了一条升级途径。为了进一步最大限度提高可用功率,减少 PD 产生的热量,可使用 LT4321 理想二极管桥式控制器。

 

照片说明:PoE++ 以太网供电 PD 接口控制器

 

性能概要: LT4295

·具正激式 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受电设备 (PD)

·外部热插拔 N 沟道 MOSFET 用于实现最低功耗和最高系统效率

·支持高达 71W 的 PD

·5 事件分级检测

·出色的浪涌保护 (100V 绝对最大值)

·宽结温范围 (–40°C 至 125°C)

·采用 LT4321 理想二极管桥时提供 >94% 的端到端效率

·无光耦合反激模式运行

 

·辅助电源支持低至 9V

 

·采用 28 引线 4mm x 5mm QFN 封装