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• 同步降压转换器 ▪ 简介
  TPS62237DRYT同步降压转换器的内部原理框图上图所示，TPS62237DRYT同步降压转换器内置的高边开关是增强型P-MOSFET，低边开关是耗尽型N-MOSFET，内部开关限流典型值为850mA，支持的连续负载电流能力为500mA。

  电源先生公众号

  401

  19小时前

  降压转换器 同步降压转换器
• 怎么产生负电压？BUCK-BOOST负电源原理
  

  在电路系统中，负电压的应用没有正电压多，因此是很多人忽略的一种电源拓扑，不被人了解，所以有同学就经常会问，怎么产生负电压？BUCK-BOOST是一种经典的负电源拓扑，广泛应用在OLED屏幕驱动等领域，其基本结构见图2-12 ，与BUCK、BOOST一样，都是由基本的开关、二极管和电感几大元件组成。

  工程师看海

  241

  23小时前

  电压 buck-boost
• 3月锂价反弹支撑动力电芯价格持稳，但预期第二季整体电芯价格仍有压力
  

  中国动力电芯价格在过去一年多的时间里持续下滑，但自今年2月份以来，供应链价格整体已逐渐回稳。据TrendForce集邦咨询研究显示，3月电池级碳酸锂价格反弹，先后突破每吨10万元、11万元（以下均以人民币计），至3月末均价略有回落，但3月整体电池级碳酸锂均价仍月涨14%。受原料成本支撑，3月中国动力电芯价格整体持稳，其中方形三元、方形铁锂和软包型三元动力电芯的月均价分别为0.48元 /Wh、0.4

  与非网编辑

  417

  04/12 16:32

  电芯 新能源车
• 实现不间断能源的智能备用电池第三部分：电池管理系统
  

  摘要 本文介绍ADI公司为开放计算项目(OCP)开放机架第3版(ORV3)备用电池单元(BBU)的电池管理系统(BMS)开发的算法。BMS是任何数据中心BBU必不可少的设备，其主要作用是通过监视和调节电池包的充电状态(SOC)、健康状况和功率来确保电池包的安全。因此，BMS是数据中心中复杂而重要的组件，必须谨慎设计和实施。 简介 在探索ADI公司的BBU参考设计时，有必要了解BMS的工作原理。BM

  与非网编辑

  438

  04/12 16:17

  ADI bms
• 艰难的替代——车规BMS芯片之数字隔离芯片
  上期“艰难的替代”系列介绍了BMS芯片的重要分类——AFE芯片，本期我们介绍另一类重要的BMS芯片——数字隔离芯片：在现代电子系统中，隔离技术的应用日益重要，尤其是在确保高低电压模块间安全和可靠通信的场景中。隔离器件通过将输入信号进行转换和传递至输出端，实现了电气隔离的功能，从而保证了高电压（强电）和低电压（弱电）之间的安全信号传输。

  李坚

  2836

  04/12 11:44

  数字隔离器
• 极低噪声幻象电源如何设计？详细原理图和三种消噪方法拿走不谢
  

  专业级电容麦克风需要使用48 V电源为内部电容传感器充电，以及为内部缓冲器供电，以提供高阻抗传感器输出。该电源的电流很低，一般只有几mA，但因为麦克风的输出电平非常低，并 且缓冲器本身的电源波纹抑制性能不佳，因此要求电源必须具有极低的噪声。此外，幻像电源不得将EMI注入相邻的低电平电路，这是紧凑型产品始终需要解决的一大挑战。

  亚德诺半导体

  483

  04/12 09:38

  电容麦克风 幻象电源
• 非同步降压转换器▪简介
  

  LM2576xx系列SIMPLE SWITCHER非同步降压转换器，内置高边开关管为NPN三极管，最大负载电流为3A；低压版本最大输入电压为40V，高压版本最大输入电压为60V；输出电压具有3.3V、5V、12V和15V四个固定版本，以及可调版本（低压版本输出电压范围是1.23V 至 37V，高压版本至57V）；开关频率为固定的52kHz。

  电源先生公众号

  289

  04/12 08:32

  降压转换器
• 隔离驱动芯片国产化进程与前景分析
  

  隔离驱动芯片作为电子领域中的关键组件，在电力电子、新能源、汽车电子等领域中发挥着至关重要的作用。然而，长期以来，我国在隔离驱动芯片领域依赖进口，面临着技术受限、供应不稳定等问题。因此，实现隔离驱动芯片的国产化成为我国电子产业发展的重要战略之一。

  克里雅半导体科技

  277

  04/12 07:53

  隔离驱动
• 《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》解析：1300字，NMOS LDO原理！
  

  图2-16是一个NMOS LDO的基本框图，在1.4节中已经介绍了NMOS特点，在开关结构电源中MOS是工作在开关状态，在LDO电源中MOS工作在饱和区，注意：LDO一定是工作在饱和区（特殊情况会在可变电阻区），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引脚，一般还会有个Vbias引脚来给MOS的G极提供高压驱动源；或者只有一个Vi，而LDO内部集成了CHARGE BUMP (电荷泵)来为G极提供高压驱动源。

  工程师看海

  920

  04/11 11:40

  LDO NMOS
• 圣邦微电子推出车规级电流检测芯片 SGM8197xQ
  圣邦微电子推出符合 AEC-Q100 标准的车规级电流检测芯片 SGM8197xQ（型号中 x 代表不同增益）。该芯片支持业界领先的超宽共模输入电压 -24V 至 +105V，供电电压 2.7V 至 28V。

  圣邦微电子

  609

  04/11 10:13

  电流检测 车规级
• 新品攻略—小功率、小体积、高效率！LED驱动模块RSC6218A
  

  LED驱动模块RSC6218A是一款LLC 谐振拓扑功率模块，带有半桥驱动的控制电路和功率转化器件，适用于 LED 恒流控制线路，电路工作频率可达200KHz。

  REASUNOS瑞森半导体

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  04/11 07:55

  LED驱动芯片 瑞森半导体
• 全方位测试：优化电动汽车电池设计的关键路径
  

  从内燃机（ICE）向使用清洁能源的电动汽车（EV）转型，需要大量的技术投入，才能推动电动汽车在市场上广泛普及。 此外，越来越多的国家宣布了逐步淘汰或者限制传统内燃机的计划。受到政策驱使，EV 生态系统亟需快速发展壮大。相应地，这种需求也对电动汽车的电池测试方法提出了更高要求，要求电池测试更加高效。 随着电动汽车市场的快速增长，动力电池等汽车核心部件的需求也在不断扩大。作为电动汽车的关键子系统之一，

  与非网编辑

  379

  04/10 17:11

  电动汽车 电池管理
• 斯达半导体Q4毛利率显著改善，IGBT没那么卷
  

  4月8日，斯达半导体发布2023年年报：2023年公司实现营业收入36.6亿元，同比增长35.4%，扣非后归母净利润为8.86亿元，同比增长16.25%。分季度来看，第四季度实现收入10.44亿元，同比增长25.6%，环比增长12.1%，呈现逐季上涨的态势。 毛利率方面，2023年前三季度，公司毛利率水平处于相对低位，维持在36%左右，四季度恢复到历史高位40.5%，全年低开高走。2023年全年毛

  史德志

  1601

  04/10 13:30

  SiC IGBT
• 如何比较固态继电器和CMOS开关的性能？
  

  本文将讨论如何从关断隔离度推导出COUT，以及如何通过它来更有效地比较固态继电器和CMOS开关的性能。这一点很重要，因为CMOS开关适合许多使用固态继电器的应用，例如切换直流信号和高速交流信号。

  亚德诺半导体

  568

  04/10 10:10

  CMOS 固态继电器
• BMS的放电MOS是如何过压击穿的？
  

  上一篇文章中，我们讲到，在BMS测试的时候，经常会遇到MOS管烧毁的情况，引起这种损坏的原因对于MOS管来说，基本上都源于过流的功率损坏和过压的击穿。

  轩哥谈芯

  364

  04/10 08:47

  BMS系统 MOS
• 实现不间断能源的智能备用电池第一部分：电气和机械设计
  

  摘要 本文概要介绍了开放计算项目开放机架第3版(OCP ORV3)备用电池单元(BBU)的系统要求。文中强调了可在停电时提供电能的高效、智能BBU的重要性。此外，本文展示了模拟和数字设计解决方案、电气和机械解决方案及其为满足书面规范而开发的架构。 引言 数据中心为互联网提供支持，连接世界各地的社区。Facebook、Instagram和X（前称Twitter）等社交媒体公司依靠数据中心来传播和存储

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  402

  04/09 14:18

  数据中心 微处理器
• 使用LTspice搞定工程电源和MEMS信号链模拟~
  

  针对同一线路上共享电源和数据，目前有多种标准，包括针对数据线供电(PoDL)的IEEE 802.3bu，以及针对以太网供电(PoE)的IEEE 802.3af，采用带有专用电源接口控制器。这些定义的标准通过检测、连接检查、分类和开/关故障监测，提供了受控的安全电源连接。在安全供电情况下，功率水平范围为几瓦至几十瓦。

  亚德诺半导体

  615

  04/09 10:35

  mems 信号链
• BMS 中的放电 MOS 是怎么烧毁的？
  

  大多数人想到的原因要么是自己选的 MOS 耐流能力不够大，要么就是嫌自己并的不够多，然而当我们换了更大的 MOS 管，或者多并联了几个后，还是会出现烧毁的情况，真是捉摸不透啊。其实并不是我们选择 MOS 有问题，而是我们电路的设计上没有注意 MOS 的微观状态，当然一定的降额设计和良好的散热是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的过流损坏。我认为半导体器件的损坏大体上可以分为三种：机械损坏，过流烧毁，过压击穿。

  轩哥谈芯

  638

  04/08 09:20

  MOS管 BMS系统
• 电源管理芯片设计采用的工艺平台解析
  目前电源管理芯片在晶圆制造环节所采用的主流工艺采用的工艺平台

  老虎说芯

  615

  04/08 08:50

  芯片设计 电源管理芯片
• 产研：艰难的替代——国产车规级AFE芯片
  

  电动车的心脏——BMS 电池管理系统（BMS）在电动新能源汽车的发展中扮演着至关重要的角色。这一系统的主要任务是确保电池组在整个使用周期内的安全、高效运行，它通过细致的监控和管理机制，实现对电动车电池的全面把控。特别对于使用锂离子电池的电动车而言，BMS不仅是性能优化的关键，更是安全保障的基石。 电动汽车的动力源头是由众多小电池单体通过串并联的方式组合而成的电池组，最终形成动力电池单元。这些单体电

  李坚

  6424

  04/07 14:29

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