“为了优化外置 MOSFET Q1 的开关工作,由 R16、R17、R18、D17 组成一个调整电路,用来调节来自 BD7682FJ 的 OUT 引脚的栅极驱动信号(参见电路图)。这个电路会对 MOSFET 的损耗和噪声产生影响,因此需要一边确认 MOSFET 的开关波形和损耗,一边进行优化。”
 
本文将对电源 IC BD7682FJ 的外置 MOSFET 的开关调整部件和调整方法进行介绍。
 
MOSFET 栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17
 
“为了优化外置 MOSFET Q1 的开关工作,由 R16、R17、R18、D17 组成一个调整电路,用来调节来自 BD7682FJ 的 OUT 引脚的栅极驱动信号(参见电路图)。这个电路会对 MOSFET 的损耗和噪声产生影响,因此需要一边确认 MOSFET 的开关波形和损耗,一边进行优化。”
 
开关导通时的速度由串联到栅极驱动信号线上的 R16 和 R17 来调整。
 
开关关断时的速度由用来抽取电荷的二极管 D17 和 R16 共同来调整。
 
通过减小各电阻值,可提高开关速度(上升 / 下降时间)。
 
在此次的电路示例中,R16=10Ω/0.25W,R17=150Ω,D17=肖特基势垒二极管 RB160L-60(60V/1A)。
 
准谐振转换器在导通时基本上不会产生开关损耗,关断时的损耗占主导地位。
 
 
要想降低开关关断时的开关损耗,需要减小 R16,提高开关关断速度。但这会产生急剧的电流变化,开关噪声会变大。
 
开关损耗和噪声之间存在着此起彼消(Trade-off)的制约关系,所以需要在装入实际产品的状态下测量 MOSFET 的温度上升(=损耗)和噪声情况,并确认温度上升和噪声水平在允许范围内。请根据需要将上述常数作为起始线进行调整。
 
另外,由于 R16 中会流过脉冲电流,因此需要确认所用电阻的抗脉冲特性。
 
R18 是 MOSFET 栅极的下拉电阻,请以 10kΩ~100kΩ为大致标准。