符合 IEEE 802.3bt 标准,提供 90W 功率给不同应用,

 

包括智能传感器、楼宇自动化和联接的照明

 

2019 年 9 月 5 日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),凭借不断增长的符合 IEEE802.3bt 标准的产品和技术阵容引领行业。以太网供电(PoE)使用新的 IEEE802.3bt 标准,可用于通过局域网(LAN)联接提供高达 90 W 的高速互联。安森美半导体的方案不仅支持新标准的功率限制,还将功率扩展到 100 W 用于电信和数字标识等系统。

 

新的 IEEE802.3bt PoE 标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场,使更精密的端点可在更大的网络运行。IEEE802.3bt 标准通过新的“Autoclass”特性优化能量管理,令受电设备(PD)将其特定的功率需求传递给供电设备(PSE)。这也令每个 PSE 仅向每个 PD 分配适当的功率量,从而最大化可用能量和带宽。

 

与 IEEE 802.at 标准(PoE+)提供的 30 W 相比,IEEE 802.3bt 可提供高达 90 W 的功率和互联到新的应用,无需专用且通常为离线的电源。PoE 将简化网络拓扑,并提供更强固的“即插即用”用户体验。

 

商业信息提供商 IHS Markit 电源半导体高级分析师 Kevin Anderson 说:“以太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一,预计 2017 年到 2022 年的复合平均单位增长率为 14%。IEEE 802.3bt 中定义的更高供电能力促成新的应用,如更高功率联接的照明、联网的高分辨率监控摄像机和高性能无线接入点。”

 

NCP1095 和 NCP1096 接口控制器构成安森美半导体 PoE-PD 方案的基础,具有实施 PoE 接口所需的所有特性,包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热插拔 FET。NCP1096 集成的热插拔 FET 具有 Type 3 或 Type 4 PoE 控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以 NCP1566 DC-DC 控制器、FDMC8622 单 MOSFET、FDMQ8203 和 FDMQ8205A GreenBridge™四通道 MOSFET,为 PoE 应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些器件赋能高效的 PoE 接口,最高可达标准的 90 W 功率限制,若需更高的功率,可用专用的 100 W 方案。

 

安森美半导体工业和离线电源方案副总裁 Ryan Cameron 说:“作为一家讲究高能效的公司,我们很高兴能促进 PoE 充分发挥潜力。我司提供全系列符合 IEEE 802.3bt 的方案,使这技术更容易广及所有开发工程师,有助于使更多联接的设备具有保证的互操作性。”

 

欲了解更多信息,请联系您当地的安森美半导体代表或授权代理商。