在中国获 2019 年度“Top 10 电源产品奖”

 

行业认可首款用于 GaN 功率开关的高性能、650 V 高压半桥门极驱动器

 

2019 年 9 月 10 日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),今日宣布其 NCP51820 高速门极驱动器获 21IC 中国电子网选为 2019 年度 “Top 10 电源产品奖”。该年度奖项是中国备受认同的确定 10 大最具开创性的设计及技术有显著进步的电源产品的行业基准之一。

 

安森美半导体的 NCP51820 是技术先进的方案,专为满足驱动离线、半桥电源拓扑中增强型 GaN 器件的严格要求而设计。

 

该获奖器件提供许多独特的特性,包括针对 GaN 优化的调节门极驱动输出电压和用于 EMI 噪声调节的单独的源极和汲极引脚。该驱动器提供少于 25 ns 的短的传输延迟,先进的电平移位技术使 -3.5 V 至+650 V (典型)共模电压范围用于高边驱动,-3.5 V 至 +3.5 V 共模电压范围用于低边驱动。此外,该器件还支持驱动器两个输出级稳定的 dV/dt 运行达 200 V/ns,确保在高速开关应用中的强固性能。

 

GaN 技术有潜力提供更低的开关损耗和更高的功率密度,但实现这些好处取决于有针对 GaN 优化的、具有强固保护特性的门极驱动电路。为了充分保护 GaN 功率晶体管的门极免受过压应力的影响,NCP51820 的两个驱动级都采用专用的稳压器以精确保持栅源驱动信号的幅值。安森美半导体的 NCP51820 还提供重要的保护功能,如独立的欠压锁定(UVLO)、监测器件工作电压(VDD)的偏置电压和高压供电端(VDDH)及低压供电端(VDDL)驱动偏置,以及基于器件裸片结温的热关断。

 

安森美半导体市场营销与应用总监 Ryan Zhan 说:“我们很自豪获 21IC 中国电子网评委认可我司 NCP51820 的先进和独特特性。 由于能源成本上升和可用空间有限,对更小尺寸、更高能效的电源方案需求持续增长。 我们的 NCP51820 突破了传统的隔离半桥门极驱动器的限制,并集成优化了 GaN 门极驱动器,以实现基于 GaN 的最简单、最具性价比的方案。”