全球知名半导体制造商 ROHM(总部位于日本京都),开发出 6 款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR 系列”产品(650V/1200V 耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。

 

此次新开发的系列产品采用 4 引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出 SiC MOSFET 本身的高速开关性能。与以往 3 引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约 35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。

 

 

另外,罗姆也已开始供应 SiC MOSFET 评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”,该评估板中配置有非常适用于 SiC 元器件的驱动的 ROHM 栅极驱动器 IC(BM6101FV-C)、各种电源 IC 及分立产品,可为客户提供轻松进行元器件评估的解决方案。

 

本系列产品已于 2019 年 8 月起以月产 50 万个的规模逐步投入量产(样品价格 2,100 日元起,不含税)。生产基地为 ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈)。此外,本系列产品和评估板已于 2019 年 9 月起开始网售,可从 AMEYA360、icHub 购买。

 

 

近年来,随着 AI 和 IoT 的发展与普及,对云服务的需求日益增加,与此同时,在全球范围对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,如今,损耗更低的 SiC 元器件被寄予厚望。特别是采用了 TO-247-4L 封装的 SiC MOSFET,与以往封装相比,可降低开关损耗,因此有望应用于服务器、基站、太阳能发电等高输出应用中。

 

2015 年,ROHM 于全球第一家成功实现沟槽栅结构 SiC MOSFET 的量产,并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出 650V/1200V 耐压的低损耗 SiC MOSFET,未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于 SiC 驱动的栅极驱动器 IC 等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。

 

<特点>

采用4引脚封装(TO-247-4L),开关损耗降低约35

在传统的 3 引脚封装(TO-247N)中,源极引脚的电感分量※2)会引起栅极电压下降,并导致开关速度延迟。

此次,SCT3xxx xR 系列所采用的 4 引脚封装(TO-247-4L),可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚,因此,可减少电感分量的影响。这样,能够充分地发挥出 SiC MOSFET 的高速开关性能,尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约 35%的损耗。

 

 

<产品阵容>

SCT3xxx xR 系列是采用沟槽栅结构的 SiC MOSFET。此次新推出了共 6 款机型,其中包括 650V 的 3 款机型和 1200V 的 3 款机型。

 

 

<应用>

服务器、基站、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

 

<评估板信息>

SiC MOSFET 评估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配备了非常适用于 SiC 元器件驱动的 ROHM 栅极驱动器 IC(BM6101FV-C)、各种电源 IC 及分立产品,可轻松进行元器件的评估。为了提供在同一条件下的评估环境,该评估板不仅可以评估 TO-247-4L 封装的产品,还可安装并评估 TO-247N 封装的产品。另外,使用该评估板,可进行双脉冲测试、Boost 电路、两电平逆变器、同步整流型 Buck 电路等评估