最近,整理了市面上发售的氮化镓 GaN 充电器产品。一波是采用 PI 的主控芯片,PI 芯片集成了主控+功率器件+同步整流;一波是采用纳微 GaN 产品(QR/ACF+NV 功率器件+同步整流);在采用 NV 的 GaN 产品设计中,发现了一个有趣的事情,如下图所示;8 款纳微 NV 的 GaN 产品中,同步整流 IC 有 7 款采用了 MPS 的 MP6908;

 

 

说 NV 是氮化镓产品中的大赢家,这么看来 MPS 在 GaN 产品应用中也是大赢家;同行业内朋友聊起这款产品,行内对 MP6908 称号“傻瓜 08”;意思就是电路 简单,装上去就能工作的傻瓜式同步整流 IC;

 

查询了 MPS 产品资料,MP6908 升级版 MP6908A (频率可达 500K hz)针对氮化镓 GaN 产品应用;

 

 

MP6908 之所以受到这么多产品应用设计的青睐,主要是有什么特点?

 

 

在众多的方案应用中,细心的朋友可能发现,有把同步整流管放在次级侧的低端,如下图所示:

 

 

还有把同步整流管放在次级侧的高端,如下图所示;

 

 

这样有什么区别吗?

放在低端的,同步整流和输出是共地的,这样同步整流的供电可以直接从输出电压取,电路设计非常简单,所以放在低端比较好。这也是好多工程师朋友设计电路的选择!

 

但是,这两种接法在 EMI 性能上面还会有很大的差别,这可是电源设计里面最难解决的问题之一。

 

在开关电源 中 EMI 的来源是开关 动作所产生的动点电压,而在反激电路中初级侧的主开关管和次级侧的同步整流管则分别是最主要的两个动点。

 

如果将同步整流管放在次级侧的高端,如下图所示,红色的初级动点和蓝色的次级动点所产生的共模电流方向是相反的。这样就会产生共模电流相互抵消的作用,所以 EMI 的性能就是比较好的。

 

 

如果将同步整流管放在次级侧的低端,如下图所示,红色的初级动点和蓝色的次级动点所产生的共模电流方向是相同的。这样就会产生共模电流相互加强的作用,所以 EMI 的性能就是比较差的。

 

 

虽然差异的大小因设计而异,但是通常这两种接法在 EMI 的测试 结果上会表现出 3-5db 的差别,这个在实际应用中可不是那么容易补得回来的,尤其在设计氮化镓 GaN 电源,为了 GaN 产品过 EMI,熬到秃头就为个 3-5db,也犯不上。

 

MP6908,其内部集成高压自供电功能,无需外加辅助绕组或任何外围元器件 即可实现同步整流位于高端,轻松拥有优越的 EMI 性能。