英飞凌推出采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从 30mΩ到 350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。

 

了解使用此 SMD 封装从而提高应用性能的多种方法:被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表,详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器 - 电机一体化,以及低功率紧凑型充电器解决方案。

 

CoolSiC™沟槽 MOSFET 技术经过优化,将性能与可靠性相结合,并具有 3µs 的短路时间。由于采用 .XT 连接技术,其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术,.XT 连接技术可多消散 30%的额外损耗。该全新 CoolSiC™ .XT 产品系列表现出一流的热性能和循环能力:与标准连接技术相比,输出电流最多提高 14%,开关频率提高一倍,工作温度则降低 10-15°C。

 

特 性

开关损耗极低

短路时间 3µs 

完全可控 dV/dt

典型栅极阈值电压,VGS(th) =4.5V

不易寄生导通,可选用 0V 关断栅极电压

坚固耐用的体二极管,实现硬开关

.XT 连接技术,实现一流的热性能

为 1200V 优化的 SMD 封装,其爬电距离和电气间隙在 PCB 上>6.1mm

Sense 引脚,可优化开关性能

 

应用示意图

 

优 势

效率提升

实现更高频率

增大功率密度 

减少冷却设计工作量

降低系统复杂性并降低成本

SMD 封装能直接集成于 PCB,采用自然对流冷却方式,无需额外的散热器

 

目标应用

电机驱动

基础设施 - 充电桩

发电 - 太阳能组串式逆变器和优化器

工业电源–工业 UPS

 

竞争优势

无风扇驱动

实施被动冷却

最高效率,无需散热器

通过减少零件数量并减小外形尺寸实现紧凑型解决方案

SMD 集成于 PCB,采用自然对流冷却方式,仅有热通孔

电机和逆变器一体化

采用具备大爬电距离和电气间隙的 SMD 封装的 1200V 器件符合安全要求

 

 

 

关于英飞凌

英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。

 

英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起,致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到,但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面,英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外,它们在保护数据通信,提高道路交通安全性,降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。