WE-AGDT 系列提供了一种新型的 SMT 组装变压器,同时,它也是 WürthElektronik 为满足 SiC MOSFET 的栅极控制要求而开发的电源解决方案的一部分。创新的 WE-AGDT 是采用 EP7 封装的紧凑型变压器。它具有 9 至 36 V 的宽输入电压范围,4.5 A 的高饱和电流,极低的漏感以及绕组之间的 6.8 pF 的极低电容。这引起了栅极驱动器系统的高共模瞬变抗扰度(CMTI)。

 

WE-AGDT 系列包含六个变压器,每个变压器均针对其各自的参考设计进行了优化。由于它们具有两个独立的次级绕组,因此它们既可以提供双极性(+15 V,-4 V),也可以提供单极性(+15 V 至+20 V,0 V)输出电压。9 至 36 V 的输入电压可实现 3 至 6 W 的最大输出功率。WE-AGDT 变压器针对 SiC 应用进行了优化,但也适用于优化控制 IGBT 和功率 MOSFET,并提供了合适的 DC-DC 转换器,甚至用于高压 GaN FET。www.we-online.com/RD001 上提供了 WürthElektronik 的用于 SiC MOSFET 栅极驱动器的紧凑,电隔离 DC-DC 转换器的参考设计。

 

 

WE-AGDT –辅助栅极驱动变压器

“随着工作在 100 kHz 以上开关频率的碳化硅技术中功率半导体器件的日益普及,其栅极控制要求也变得越来越复杂。随着 WE-AGDT 系列及相关参考设计的发展,我们开发了一种解决方案既创新又可靠,使开发人员可以轻松实现紧凑,高效和灵活的电源,输出功率高达 6W。”WürthElektronik eiSos 的应用工程师 Eleazar Falco 说道。

 

WE-AGDT 有现货供应,而没有最低订购量。根据要求,可向开发人员提供免费样品。