日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代 600 V EF 系列快速体二极管 MOSFET 器件 ---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n 沟道 SiHH070N60EF 导通电阻比其前代器件低 29 %,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降 60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 600 V MOSFET 的重要优值系数(FOM)创业界新低。

 

Vishay 提供丰富的 MOSFET 技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着 SiHH070N60EF 的推出,以及即将发布的第四代 600 V EF 系列产品,Vishay 可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)和软切换 DC/DC 转换器拓扑结构。

 

SiHH070N60EF 基于 Vishay 最新高能效 E 系列超结技术,10 V 条件下典型导通电阻仅为 0.061 Ω,超低栅极电荷降至 50 nC。器件的 FOM 为 3.1 Ω*nC,比同类最接近的 MOSFET 低 30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而节省能源。SiHH070N60EF 有效输出电容 Co(er)和 Co(tr)分别仅为 90 pf 和 560 pF,可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能,如 LLC 谐振转换器。器件的 Co(tr) 比同类紧随其后的 MOSFET 低 32 %。

 

日前发布的器件采用 PowerPAK® 8x8 封装,符合 RoHS 标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值 100 %通过 UIS 测试。

 

SiHH070N60EF 现可提供样品并已实现量产,供货周期为 10 周。