重要半导体专家Nexperia今天宣布了其第二代650 V功率GaN FET器件系列的批量供货,与先前的技术和竞争性器件相比,该器件具有显着的性能优势。新的功率GaN FET的RDS(on)性能低至35mΩ(典型值),目标是2 kW至10 kW的单相AC / DC和DC / DC工业开关模式电源(SMPS),尤其是服务器和电信耗材必须符合80PLUS®Titanium效率法规。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。

 

新型650V H2功率GaN FET采用TO-247封装,在给定的RDS(on)值下,管芯尺寸缩小了36%,从而具有更高的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动程序,从而加快了产品上市时间。该器件在硬交换和软交换配置中均具有出色的性能,为设计人员提供了最大的灵活性。

 

Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说:“钛是80PLUS®规格中最苛刻的要求,在满负载条件下效率要求> 91%(在50%负载条件下要求效率> 96%)。使用常规的硅组件在2 kW或更高的服务器电源应用中实现这种性能水平是复杂且具有挑战性的。Nexperia的新型功率GaN FET非常适合优雅,无桥的图腾柱配置,该配置使用更少的组件,并减小了物理尺寸和成本。”

 

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。