空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行,防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响,因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds(on)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)获得了商业航天和国防空间应用认证。

 

Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件,包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。这款MOSFET器件能够承受恶劣的空间环境,增强电源电路的可靠性,并以更高的性能满足MIL-PRF19500/746的所有要求。 

 

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未来的卫星系统,也可作为现有系统的备用电源。

 

 

新器件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量(TID)以及高达87 MeV/mg/cm2的线性能量转移(LET)的单一事件效应(SEE)。在验证测试中,器件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。

 

Microchip分立式产品业务部副总裁Leon Gross表示:“Microchip进入耐辐射MOSFET市场,体现了我们致力于为客户提供支持,为航空航天和国防OEM厂商和集成商提供高性能解决方案和持续供应的长期承诺。除了公认的高质量和可靠性外,M6 MRH25N12U3还为开发人员提供价值定价选择以及全面的应用支持。”

 

M6 MRH25N12U3属于Microchip丰富的航空、国防和航天技术产品线。这些产品包括现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器集成电路(IC)、线性IC、功率器件、分立器件和集成SiC和Si电源解决方案的电源模块。再搭配单片机(MCU)和模拟产品,Microchip能够满足大功率系统控制、门驱动和功率级的需求,可为全球开发者提供整体系统解决方案。

 

Microchip在不断推出新技术的同时,还寻求与航天产品制造商和集成商合作,保障现有和未来系统供应链的安全。