材料污染，又一芯片或将缺货涨价

今天（2月10日），西部数据及其生产合作伙伴铠侠表示，用于闪存芯片生产的材料受到污染，影响了日本两家工厂的生产。不过，他们并未提供损失估计以及恢复状况。

铠侠表示，1月下旬，铠侠在三重县四日市工厂和岩手县北上工厂，怀疑其制造过程中使用的材料受到污染，部分影响了其3D闪存芯片。铠侠正在采取必要措施，尽快将设施恢复到正常运行状态。该公司预计其传统 2D NAND 闪存的出货不会受到影响，并将继续尽一切努力将对客户的影响降至最低。

报道称，上述两家工厂为西部数据与合资伙伴铠侠共同运营。

来源：铠侠日本官网

同时，西部数据就其与铠侠的合资闪存制造设施的生产状况发表评论称，西部数据目前对影响的评估是其闪存可用性减少了至少6.5 EB（艾字节，1 EB = 1024 TB）。该公司正在与其合资伙伴铠侠密切合作，以实施必要的措施，以尽快使设施恢复正常运营状态。

不过，鉴于 3D NAND 闪存生产周期时间长（完成一个 3D 闪存芯片可能需要两到三个月的时间），任何中断仍将在生产重启后的几个月内产生影响。

台媒报道，两家公司都是群联的主要供应商，对此，群联发声明表示，与铠侠及其他NAND 原厂均有签长约，供货未受影响。

目前全球芯片短缺依旧没有缓解，此前西安疫情对三星电子闪存芯片（NAND）的影响已经让涨价氛围持续酝酿，如今西部数据和铠侠产能受影响又加剧了市场紧绷的神经。据chinflashmarket预测，2020-2025年，全球NAND闪存市场将以30%的复合年增长率增长。

关于闪存芯片

闪存芯片是各种电子设备/产品的重要零部件，3D NAND目前是NAND闪存领域的新产品，有突破性能、降低成本的巨大前景。但和主流的2D NAND产品相比，3D NAND就如同在建高楼，尚不稳定，大厂们都在投入巨大资金解决这个技术难题。

除铠侠、西部数据，全球闪存芯片的供应商还包括三星电子（NAND闪存芯片龙头）、SK海力士、美光等。据韩联社报道，三星电子自2002年夺得世界NAND闪存市场冠军后，已连续20年位居榜首，目前全球NAND闪存市场呈现“多头竞争”态势，日本铠侠占据全球市场第二位（19.5%），其后依次是SK海力士（13.6%）、西部数据（13%）、微软（9.9%）和英特尔（5.9%）。

铠侠由东芝闪存业务发展而来，2017年，东芝将闪存业务剥离，出售给贝恩资本牵头的财团，此业务在2019年正式更名为铠侠，铠侠成为全球重要的NAND闪存制造商。

2021年，西部数据并购铠侠的消息传出，但并购谈判一度陷入僵局。若西部数据成功并购铠侠，在NAND闪存市场，西部数据将成为同三星电子唯一抗衡的厂商。

参考资料：彭博社、钜亨网、TechWeb、环球时报