DRAM存储器强力推动，晶圆产能大增

根据市场研究公司 IC Insights 的资料，新的半导体制造产线——特别是 DRAM 存储器的导入，预计将推动 2018 年和 2019 年的晶圆总产能高于平均水准。

IC Insights 最新的全球晶圆产能报告显示，2018 年和 2019 年晶圆产能预计将成长 8%，较 2018 年至 2019 年间晶圆产业的年平均成长更高约 5%。

去年由于 DRAM 和 NAND 闪存库存短缺导致价格上涨，这使得半导体产业的销售额首次突破了 4,000 亿美元。据世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计，去年存储器营收成长了 61.5%，其中，DRAM 销售额增加 76.8%，NAND 销售额则增加了 47.5%。

 
IC Insights 表示，韩国三星电子(Samsung Electronics)和海力士(SK Hynix)都计划在 2018、2019 年提高 DRAM 产能。除了美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)和中国长江存储科技(Yangtze River Storage Technology)，这些存储器厂商也计画在未来几年大幅提升 3D NAND 闪存容量。

根据 IC Insights 的资料，从 2017 年到 2022 年，晶圆产能预计每年将成长 6%。

IC Insights 表示，如果 2019 年规划的新产能按计划上线，该年度所增加的半导体制造产能将达到相当于 2007 年创纪录的 1,800 万片晶圆。IC Insights 认为，这一预估数字是在假设中国的 NAND 产能将较预期更慢的前提下统计而来的。(编按：IC Insight 先前曾估计中国在自行研发的 3D NAND 量产之前会先遇到大规模的专利诉讼问题，以至量产时间延后。参考阅读：中国拼存储器得先打专利战？）