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与非网 12 月 30 日讯，近日，兆易创新在发布的非公开发行 A 股股票预案中表示，拟募集资金总额（含发行费用）不超过人民币 432,402.36 万元，用于 DRAM 芯片研发及产业化以及补充流动资金。
随后，兆易创新发布《关于北京兆易创新科技股份有限公司非公开发行 A 股股票申请文件一次反馈意见的回复》，指出兆易创新拟通过本项目，设计和开发系列 DRAM 芯片，项目各阶段的实施时间及整体进度安排如下：
图源：兆易创新
上述表格中，兆易创新计划在 2020 年定义首款芯片的生产制程，并将经过验证后的设计展开流片试样，经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证。
2021 年，兆易创新首款芯片客户验证完成后进行小批量产，测试成功后进行大批量产。2022 年至 2025 年，兆易创新计划完成多系列产品陆续研发及量产。
兆易创新披露，至 2020 年将完成首款 DRAM 芯片产品定义，包括市场定位、产品规格设定及芯片设计工作，其中芯片设计包括仿真验证、逻辑整合、时序分析、功能验证、信号与频率布线、版图物理验证等，每个步骤都需要经过反复验证以确保设计的产品实现最优化的性能并能够满足兼容市场上所有系统平台的需求。
另外，兆易创新表示，公司拟通过本项目，研发 1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，设计和开发 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。
在 DRAM 技术研发方面，兆易创新已组建由资深工程师组成的核心研发团队。
据悉，在专利方面，截至 2019 年 9 月 30 日，兆易创新及控股子公司共拥有和使用 508 项境内专利、21 项境外专利及 16 项集成电路布图设计。在 DRAM 技术及研发方面，公司已组建由数十名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证，该团队的核心技术带头人员从事 DRAM 芯片行业平均超过二十年，具备较强的技术及研发实力。
此外，公司在存储器领域的技术研发能力及拥有丰富经验的资深工程师团队也能够有效地加速推进 DRAM 芯片的研发工作，公司在存储器领域的技术与研发能力是募投项目成功实施的有力保障。
